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光刻原理培训 主讲：无名氏 培训流程 光刻工艺的简介 光刻工艺的主要工艺过程 光刻胶 4、6寸曝光 光刻的意义 光刻工艺的简介 光刻：通过紫外线曝光的方式使均匀涂在硅片表面 的感光胶层上复印出掩模版上的图形。 光刻工艺的简介 硅片截面 光刻工艺的简介 硅片截面 表面生长氧化层 氧化层的生长在扩散班，图中为扩散炉 光刻工艺的简介 硅片截面 表面生长氧化层 光刻班进行加工的片子，都必须经过的步骤-匀胶。 上图中为2道匀胶机 均匀胶层（正胶） 光刻工艺的简介 硅片截面 表面生长氧化层 图中为光刻班的核心加工设备-光刻机。 经过上版、版对准、上片、片对准后执行曝光。将掩膜图形复印到硅片表面的胶层上 均匀胶层（正胶） 紫 外 线 曝 光 灯 光刻工艺的简介 硅片截面 表面生长氧化层 曝光完成后，因为掩膜图形遮挡的原因，只有部分胶膜被紫外光充分照射，化学性质发生了改变（图中橘黄色所示位置被曝光）。 紫 外 线 曝 光 灯 光刻工艺的简介 硅片截面 表面生长氧化层 曝光完成，接下来的工艺是显影，通过浸泡显影液，被曝光的正性光刻胶或未曝光的负性光刻胶会被溶除。从而实现将掩膜上的图形复印到胶层。 上图为显影机，构造与匀胶机类似 光刻工艺的简介 至此，光刻工艺简介告一段落，经过显影后的QC检验后即可送往下步工序。 光刻的下步工序为：湿法腐蚀、干法刻蚀、离子注入 硅片截面 表面