铟锡氧化物电子结构和光学性质的第一性原理研究.pdfVIP

2016年 9月 山东 师 范 大 学 学 报 (自然科 学 版) Sep．2016 第 31卷 第3期 JournalofShandongNormalUniversity(NaturalScience) Vo1．31No．3 铟锡氧化物电子结构和光学性质的第一性原理研究水 林雪玲 潘凤春 (宁夏大学物理电气信息学院，750021，银川 ) 摘要 透明导电氧化物薄膜具有高的可见光透明度和较低的电阻系数 ，已成为当前的研究热点．早期关于氧化铟材料的理论 研究没有考虑In原子4d电子的交换关联库伦位能，使得计算的带隙值远低于实验值 ；另外关于sn原子掺杂的氧化铟物理特性的 研究比较少，不同掺杂位置对材料结构和电子结构的影响缺乏系统的研究．本文采用基于密度泛函理论的第一性原理的LDA+U 方法系统研究了sn掺杂 In20，材料的电子结构和光学性质．研究表明sn的引入能降低In：0体系的禁带宽度，并在禁带中引入主 要由Sn一5p轨道上的电子构成的杂质能级，禁带宽度的降低和杂质能级的引入可以改变 In：O，材料对可见光的透明度，并可提高 其电导率．sn离子掺杂后体系的几何结构和电子结构发生改变是导致体系一系列性质发生改变的原因．通过Mulliken布局分析得 知掺杂后的Sn一0键相比于掺杂前的In一0键的键长变短，同时前者比后者的离子键成份更强． 关键词 第一性原理 ；In203；Sn掺杂；光学性质 中图分类号 0433 文献标识码 A d0i：10．3969／i．iSSI3,1001—4748．2016．03．013 透明导电氧化物薄膜 (TransparentConductiveOxide，TCO)具有高的可见光透明度和较低的电阻系数，已 经广泛应用于光电子器件中，其优异的性能使之成为科研和工业上重点研究的课题之一_1]．In0作为一种 典型的高简并n型TCO材料，对其研究可以追溯到 1954年，并取得了一定的成果l6’．后来关于纯 InO，薄 膜的导电性的研究，又一次激发了人们对 In：0的研究热情 ．七十年代后期液晶显示技术的发展，使用于透 明电极铟锡氧化物 (IndiumTinOxide，ITO)的研究开发进一步扩展了InO，在光电子器件中的应用 ． Diniz等人的研究表明，sn掺杂的In：O薄膜具有 良好的可见光透明度，sn原子掺杂属于浅施主掺杂，可以有 效提高这种 ITO薄膜的导电性，使得这种高简并的n型TCO材料应用于显示器和光电子器件领域 ¨引．Mo掺 杂的InO薄膜 (IMO)可有效降低材料的电阻率，研究表明，当Mo掺杂的摩尔浓度达到3％时，材料的电阻 率可以降低到5．2×10n ·m，并可提高可见光的透射率达到90％以上，这是因为高价金属Mo离子相比于 In离子能贡献更多的电子来增加载流子的浓度 Hj．Elhichou研究表明¨，在基底温度为450。C的情况下， 利用高温分解法制备的低价阴离子F掺杂的InO薄膜，其对可见光的透过率可达95％，电阻率降为6×10 n ·m．这些研究表明，V族周期元素的掺杂可以改良本征材料的相关特性 ¨ j，但其相关的物理机制是有 待研究和探讨的．为了在保持材料的可见光透明度的基础上进一步提高 InO材料的电导率，理论上的研究 是必不可少的．已有的第一性原理计算研究虽然合理地解释 ITO材料的晶体结构和电子结构 ¨ ，但在对 氧化铟的能带结构理论解释方面存在很大的争议：一些理论计算研究表明，氧化铟是间接带隙半导体 ； 而有的研究却表明氧化铟是直接带隙半导体，并且导带底和价带顶均位于高对称点厂(0，0，0)¨’ 引．早期 关于氧化铟材料的计算都低估了In原子4d电子的交换关联库伦位能，使得计算的带隙值远低于实验值，另 外关于Sn原子掺杂的氧化铟物理特性的计算比较少，而且对于不同掺杂位置对材料结构和电子结构的影响 并没有系统的考虑．我们期望通过对 Sn掺杂的氧化铟材料的电子结构和光学性质的计算给出一个系统的分 析，更好的与已有的实验结果进行比对，进而扩展 InO材料在电、光领域的应用． 1 研究方法与模型的构建 本文所有的计算结果是采用LDA+U的方法，利用基于密度泛函理论的CASTEP