04四讲 场效应管.pptVIP

1、结构和工作原理 2.3.2 N沟道耗尽型MOSFET G S D P 型衬底 B N+ N+ + + + + + + 1）当uGS=0时，正离子使导电沟道形成。 2）当uGS0，沟道加宽； uGS0，沟道变窄。 3）当uGS负值达到一定的数值时，沟道消失，此时的 uGS= UGS (off) 0 为管子的夹断电压。 2.3 MOS场效应管 预先掺入大量正离子 4）uDS对iD的影响与增强型MOSFET相似。 G D B S 1）当uGS=0时，正离子使导电沟道形成。 2）当uGS0，沟道加宽； uGS0，沟道变窄。 3）当uGS负值达到一定的数值时，沟道消失，此时的 uGS= UGS (off) 0 为管子的夹断电压。 4）uDS对iD的影响与增强型MOSFET相似。 2、特性曲线和特性方程 iD uDS 0 0.2V 0V -0.3V 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 -0.6V 0.4V 输出特性曲线 UGS(off) iD uGS 0 UGS(off) IDSS 转移特性曲线 2、特性曲线和特性方程 iD uDS 0 0.2V 0V -0.3V 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 -0.6V 0.4V 输出特性曲线 UGS(off) iD uGS 0 UGS(off) IDSS 转移特性曲线 *耗尽型MOSFET工作在恒流区时的大信号特性方程为： N沟道MOS FET P沟道MOSFET 电源极性 uDS 0 uDS 0 夹断电压 UGS(0ff) 0 UGS(0ff) 0 截止区 uGS≤ uGS(off) uGS≥ uGS(off) 可变电阻区 uGD uGS(off) uGD uGS(off) 预夹断状态 uGD= uGS(off) uGD= uGS(off) 恒流区 uGD uGS(off) uGDuGS(off) 3、已知D型MOSFET三极的电位，如何判断管子的工作状态？ ①认清器件类型：N沟道/P沟道 ②看uGS与夹断电压uGS(0ff)的关系，确定是否工作在截止区 ③若不截止，看uGD与夹断电压uGS(0ff)的关系，确定工作状态 。 2.3.3 MOSFET的交流小信号模型 2.3 MOS场效应管 1、MOSFET的三种基本组态（P63，图2-53） 2、MOSFET的背栅控制特性 （1）在分立元件电路中，MOSFET的衬底B与源极S通常 是短接的，衬源电压uBS=0，MOSFET 为“三极管”。 G D B S （2）在集成电路中，要求N管的衬底要接系统的最低电位， P管的衬底要接系统的最高电位，以保证各管之间的相 互隔离以及衬底与源漏区之间PN结的可靠截止，因此 衬源电压uBS≠0。 （3）衬底调制效应是指衬源电压uBS对iD的控制作用，也称为 背栅控制特性。 uBS变化 引起开启电压的变化，从而影 响iD的的变化。 （4）背栅跨导gmb： 跨导比 3、MOSFET的低频交流小信号模型 共源NMOS管 低频小信号模型 + + - - ugs ubs + - uds gmugs gmbubs rds 分立元件电路中，一般uBS=0，MOSFET的模型与JFET相同。 - uds + ugs gmugs - + rds FET低频小信号线性模型 G D id S 2.3.4 各种FET的特性比较 2.3 MOS场效应管 1、各种FET的特性比较 ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S ○ ○ ○ G D S G D S G D S 2、 uDS的极性决定于沟道性质，N沟道为正，P沟道为负。 3、 uGS的极性 ①JFET的uGS与uDS极性相反； ②增强型MOSFET的uGS与uDS极性相同； ③耗尽型MOSFET的uGS可正、可负或为0。 uGS(off)0 uGS(th)0 uGS(th)0 uGS(off)0 N沟道漏极电流从D→S；P沟道漏极电流从S→D。 1、 符号的箭头方向：N沟道向内，P沟道向外。 4、 特性曲线和特性方程  (P62) 2、FET与BJT的比较 FET BJT 控制方式 电压控制型器件uGS控制iD（gm） 电流控制型器件iB控制iC （β） 直流输入电阻 输入电阻很大，栅极不取电流iG≈0 发射结正偏，输入电阻较小， iB≠0 导电机理 单极型器件，一种载流子：噪声小，温度稳定性好 双极型器件，两种载流子：噪声大，温度稳定性差 结构对