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IK5N65D TO252 规格书
IK5N65D
N channel 650V MOSFET
Features Description
• RDS(on) ≦2.3Ω ( Max.)@ VGS = 10V The IK5N65D N-Channel enhancement mode silicon gate
• Low Gate Charge ( Typ. 14.5nC) power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power
• Fast Switching switching applications such as switching regulators,
• Fast switching capability switchingconverters, solenoid, motor drivers, relay drivers.
• Avalanche energy specified
• Improved dv/dt capability
Pin configuration
Order Number Package
IK5N65D TO-252
Maximum Ratings Tc = 25℃ unless otherwise noted*
Parameter Symbol Ratings Units
Drain-Source Voltage VDSS 650 V
Gate-Source Voltage VGSS ±30 V
Tc=25℃ 5* A
Continuous Drain Current ID
Tc=100℃ 3.2* A
Pulsed Drain Current IDM 16 A
Tc=25℃ 30
Power Dissipation PD W
Derate above 25°C 0.24
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg -55~+150 ℃
*Dran current limited by maximum junction temperature
Thermal Characteristics
Parameter
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