各向异性磁电阻、巨磁电阻测量实验报告-张楚珩的仓库.PDF

各向异性磁电阻、巨磁电阻测量 实验报告 张楚珩（121120173） 南京大学物理学院 南京210093 2015年12月14日 1 引言 一般磁电阻是指在一定磁场条件下材料电阻 率改变的现象。通常讲磁场引起的电阻率变化写 成∆ ，其中 和分别表示 在磁场 中和无磁场时的电阻率。磁电阻的大小 通常表示为 ∆ % (1) 其中可以是 或，MR是magnetoresistiv- ity的缩写。 绝大多数非磁性导体的MR很小，约为%， 图1: (a)早期报道的Co-Cu颗粒膜的磁电阻曲 磁性导体的MR最大为% %，并且电阻率的变 线(b)早期报道的Co-Cu颗粒膜的回线 化与磁场方向与导体中电流方向的家教有关，即 具有各向异性，称之为各向异性磁电阻（Aniso- 20世纪90年代后期，人们在掺碱土金属锰氧 tropymagnetoresistance，简记为AMR）。 化物中发现MR可达 % %，称之为庞磁电阻 1988年，在分子束外延制备的 多层膜 （Colossal magnetoresistance，简记CMR）。 中发现MR可高达%。并且在薄膜平面上，磁 现在锰氧化物CMR材料的磁电阻饱和磁场较高， 电阻是各向同性的。人们把这称之为巨磁电阻 降低其饱和场是将其推向应用的重要研究课题。 （gaint magnetoresistance，简记GMR）。90年 利用磁电阻效应可以制成计算机硬盘读出磁 代，人们又在Fe/Cu，Fe/Al，Fe/Ag，Fe/Au， 头；可以制成磁随机存储器（MRAM），还可以制 Co/Cu，Co/Ag和Co/Au等纳米多层膜中观察到了 成测量位移、角度、速度、转速等的磁传感器。 显著的巨磁电阻效应。 磁电阻效应，特别是巨磁电阻效应的理论涉 1992年人们又发现在非互溶合金（如 ， 及较多的固体量子知识，CMR等尚未有比较完善 与， ，等在平衡态不能形成合金） 的统一理论解释，这里不作介绍。本实验内容中 颗粒膜如 ， 中存在巨磁电阻效 涉及的测量磁电阻也纯粹是技术上的，不作物理 应，在液氮温度可达%，室温可达到%，并且 细节上的深入划分。 有各向同性的特点。图1为早期报道的Co-Cu颗粒 膜磁电阻曲线。 1994年，人们又发现了 隧道结 2 实验目的 在4.2K的MR为%，室温达%，见图2。之后在 其他一些铁磁层/非铁磁层/铁磁层隧道结中也 1. 初步了解磁性合金的AMR，多层膜的GMR、 观察到了大的磁电阻效应，人们将此称为隧道结 掺碱土金属锰氧化物的CMR。 磁电阻（Tunneling magnetoresistance，简记 2. 初步掌握室温磁电阻的测量方法。 TMR）。现在MR室温达24%的TMR材料已制成，用 TMR材料已经制成计算机硬盘读出磁头，其灵敏 度比普通MR磁头高10倍，比GMR磁头高数倍。 1 图 2: (a) F/I/F隧道结示意图；(b) 隧道结的磁滞电阻 3 实验原理 为AMR的贡献。该多层膜在300K和4.2K下 分别为0.35%和2.1%，约为其GMR的二十分 3.1 各向异性磁电阻 之一。