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2017-05-28 发布于河南
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15_片内flash模拟EEPROM

LTK 女娲STM32 开发板使用手册 ) 支持 k e T i e 修订历史 L ( 版本号更改描述作者修改时间 1.0.0 第一版 LeiTek 2013-10-07 2.0.0 修订软件 LeiTek 2013-12-20 K T L 目录第15 章片内flash 模拟EEPROM 3 15.1 Flash 和EEPROM 3 15.1.1 Flash 和EEPROM 对比3 15.1.2 内部Flash 模拟EEPROM 原理3 15.1.3 Flash 掉电数据恢复5 15.2 内部flash 应用实例模拟EEPROM 6 15.2.1 实例描述6 15.2.2 实验效果6 15.2.3 硬件设计6 15.2.4 软件设计6 ) k e T i e L ( K T L 第15章片内flash 模拟EEPROM 15.1 Flash 和EEPROM 15.1.1 Flash 和EEPROM 对比为了节省成本，STM32 内部没有集成EEPROM，当我们需要存储一些数据时，可使用内部flash 来模拟EEPROM。不像flash 存储器，EEPROM 在向存储空间重新写入数据时，不需要做擦除操作。由于外部EEPROM 和内部flash 模拟的EEPROM 的写入方式有所不同， ) 所以使用内部flash 模拟EEPROM 时，要使用掉电恢复机制。以下表格是他们的主要区别。 k 特性外部EEPROM 内部flash 模拟的EEPROM e 写入时间 - 若干ms - 字写入时间： 20μs - 随机字节： 5 到 10

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