高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究.pdf

维普资讯 第26卷 第9期 电 子 元 件 与 材 料 Vb1．26No．9 2007年 9月 ELECTRoNIC CoMPoNENTS AND MATERIALS Sep．2007 高浓度硼深扩散 自停止腐蚀层硅片工艺研究 唐海林 ，凌宏芝 (中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621900) 摘要 ：为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散 自停止腐蚀层硅片，对扩散掺杂工艺进行了研究。结合预淀积和 再分布两种条件下扩散的特点，采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片，研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分 布与预淀积时间比。扩散所得硅片的测试结果与理论计算相 当吻合，当再分布与预淀积时间比为 1．5倍时，扩散结深 为21．7pm，自停止腐蚀层为 14Ixm。 关键词：电子技术；MEMS；体硅溶片工艺；高浓度硼深扩散； 自停止腐蚀；预淀积；再分布 中图分类号：TH212 文献标识码 ：A 文章编号：1001．2028(2007)09—0059—03 Research0ndeepborondiffusionetch—stoplayersiliconwaferprocess IAINGHai-lin．LINGHong-zhi (InstituteofElectronicEngineering，CAEP,Mianyang 621900，SichuanProvince，China) Abstract：Thediffusionwasresearchedthroughan~yzingcharacteristicsofthepre—depositionprocessandthedrive-in process．Andtwo—stepsprocesswasappliedinordertofabricatethedeepborondiffusionetch—stoplaye~theetch—stoplayer canbeobtainedwiththisprocess．Theratioofdrive—inandpre—depositiontimewasexploredbecausetheconcentrationand depthofetch—stoplayerwereaffectedbyit，hteoptimalparameterswereachievedintheexperiments．Wafersweremeasuredin thelaboratory，obtainedresultsraeidenticalwithhtetheories，thejunctiondepthis21．7Ixmandtheetch—stoplayeris14Ixm whentheratioofdrive—inandpre—depositiontimeis1．5：1． Key words：electron technology；MEMS；bulk silicon dissolved waferprocess；deep boron diffusion；etch—stop； pre．．depositionprocess；drive-·inprocess 体硅 溶片 工艺 (Bulk silicon dissolvedwafer 工艺中，扩散掺杂可以通过多种方法完成，如合金法、 process)是制作MEMS器件的有效方法，由于其工艺 热扩散、离子注入等，但要制备高浓度、扩散层深的 过程简单，成本较低，可精确控制结构层深度 以及能 自停止腐蚀层，热扩散方法是最简单合适的。 提供非常低的电阻率材料，所以在MEMS器件制作中