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                材料化学导论第3章_材料结构的表征课件
                    * h2+ k2+l2 ?  简单 (P)  体心 (I)  面心 (F)  h2+k2+l2 ?  简单 (P)  体心 (I)  面心 (F)  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  100 110 111 200 210 211 ? 220 300,221 310 311 222 320  ? 110 ? 200 ? 211 ? 220 ? 310 ? 222 ?  ? ? 111 200 ? ? ? 220 ? ? 311 222 ?  14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 …  321 ? 400 410,322 411,330 331 420 421 332 ? 422 500,430  321 ? 400 ? 411 ? 420 ? 332 ? 422  ? ? 400 ? ? 331 420 ? ? ? 422  * (3)点阵常数的精确测定      点阵常数是晶体物质的基本结构参数,点阵常数的精确测定,可用于晶体缺陷及固溶体的研究、测量膨胀系数及物质的真实密度。 步骤:   根据衍射线的角位置计算晶面间距d  标定个衍射线条的指数hkl(指标化)  由d和相应的hkl计算点阵常数(a、b、c等)  消除误差得到精确的点阵常数 晶面间距与晶胞参数  对于不同的晶系,晶面间距dh k l与晶胞参数a,b,c,α,β,γ之间具有对应关系。 立方晶系: dh k l=[(h2+k2+l2)/a2]-1/2 六方晶系:dh k l=[4/3(h2+hk+k2)a-2+l2c-2]-1/2 三方晶系: dh k l={a-2(1+2cos3α-3cos2α)-1[(h2+k2+l2)                    sin2α+2(hk+kl+lh)(cos2α-cosα)]}-1/2 四方晶系: dh k l=[(h2+k2)a-2+l2c-2]-1/2 正交晶系: dh k l=(a-2h2+b-2k2+c-2l2)-1/2  单斜晶系: dh k l=[(a-2h2+b-2k2sin2β+c-2l2-c-1                             a-12lhcosβ)(sinβ)-2]-1/2 * (4)晶粒尺寸和点阵畸变的测定      多晶体材料的晶体尺寸是影响其物理化学性能的 重要因素,测定纳米材料的晶粒大小要用XRD,用X射 线衍射法测量小晶粒尺寸是基于衍射线剖面宽度随晶 粒尺寸减少而增宽这一实验现象。这就是1918年谢 乐(Scherrer )首先提出的小晶粒平均尺寸(D)与 衍射线真实宽度之间有的数学关系:      Scherrer方程: D = Kλ/B1/2cosθ       式中,D为晶粒的平均尺寸,K为常数(约等于0.89),B1/2为衍射线剖面的半高宽。 * 三、单晶法X射线衍射分析     单晶X射线衍射分析的对象是单晶样品,一般 为直径0.1-1mm的完整晶粒。     单晶法X射线衍射分析能提供晶体内部三维空 间的电子云密布,晶体中分子的立体构型、构象、 化学键类型、键长、键角、分子间距离和配合物配 位等。 晶体结构测定的主要步骤: 挑选直径大约为0.1–1.0mm的单晶 在CCD衍射仪上测定晶胞参数;      寻找若干个衍射点-----(hkl)-----晶胞参数 收集衍射强度数据,每个衍射点包括一组数值:   h, k, l, I 确定空间群 5. 结构解析(需要提供分子式) 用直接法或 Patterson 法求解初始结构模型。 单晶结构分析简介 R = S ? Fo ? Fc ? / S ? Fo ? 6. 结构的最小二乘修正      R = 5% 左右      7. 结构的描述 (1) 键长、键角 (2) 扭角(torsion angle)(二面角) (3) 画图:      热振动椭球图      球棍图     空间堆积图       热振动椭球图 球棍图 球棍图 空间堆积图 多面体图 多面体图 * 分子结构透视图  晶胞图     Fe-Fe以单键相连,键长2.4996(10)?, N1原子周 围的C-N-C键角之和为355.3°四个N原子处于同一平面 上。C-N键长为1.364(5)- 1.378(5)?四个苯环C9-C14,  C21-C26, C32-C37, C43-C48与卟啉大环不是共平面的, 两面角分别为75.9°、99.1°、77.4° 和 63.1°,   *        表面分析是对固体表面或界面上只有几个原子 层厚的薄层进行组分、结构和能态等分析的材料物 理试验。也是一种利用分析手段,揭示材料及其制 品的表面形貌、成分、结构或状态的技术。  第四节 材料
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