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带间间接光跃迁前面讨论了晶体中的电子体系与辐射场间相互作用最主要的一项导致的带间跃迁这样的跃迁元过程的结果是辐射场的光子数增加或减少相应地电子体系中有一个电子从某个能带中的某个能态变到另一能带的一个状态除了能量守恒电子自旋守恒跃迁还遵循准动量守恒或也即跃迁在空间为竖直跃迁这样的跃迁只涉及电子体系与辐射场间的相互作用称之为直接跃迁下面我们要讨论另一种情形例如间接能带半导体如等的情形它们的导带底与价带顶处在空间中的不同位置导带底与价带顶之间的直接光跃迁由于准动量守恒定则的限制是被禁戒的然而实验上这样
3.4 带间间接光跃迁
前面讨论了晶体中的电子体系与辐射场间相互作用最主要的一项导致的带间跃迁。这样的跃迁元过程的结果是，辐射场的光子数增加或减少1，相应地电子体系中有一个电子从某个能带中的某个能态变到另一能带的一个状态。除了能量守恒 ，电子自旋守恒，跃迁还遵循准动量守恒 或，也即跃迁在空间为竖直跃迁。这样的跃迁只涉及电子体系与辐射场间的相互作用，称之为直接跃迁。
下面我们要讨论另一种情形，例如间接能带半导体（如Si, Ge等）的情形，它们的导带底与价带顶处在空间中的不同位置，导带底与价带顶之间的（直接）光跃迁，由于准动量守恒定则的限制，是被禁戒的。然而，实验上这样的跃迁的确被观察到
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