模拟CMOS集成电路设计精粹ppt 第二章.ppt

可能出现Miller效应。Eg. RS和增益都非常大，那么2CDGtAV有可能比2CGS大，非主极点由时间常数2RSCDGtAV决定。If RS或CDGt非常大，后面的非主极点可能占主导地位，从小信号等效电路中导出增益的表达式，有两个poles一个zero。 当CDGt比较小时，主极点在输出端上。主极点fd由输出端时间常数决定。if CDGtCL/gmRS.Miller效应起主导作用。非主极点fnd出现在相对高的f处，正的零点fz在非常高的f处。 If RS非常大，Miller效应逐渐起主要作用，if RSCDGt ，Miller效应变得更加重要。正如反馈电路中一样，GBW只取决于反馈元件的值，与晶体管参数无关。 当输入信号幅度较大时，尤其驱动相对大的负载C时，这个小信号放大器可表现为AB类放大器。当输入电压从低到高时，引起nMOST的电流iC1比静态工作电流IDSA大，pMOST的iC2变小。通过负载C的iL≈ic1并逐渐↑，给负载C快速地放电。缺点：电流取决于 。 目前只讨论放大器。用一个单管也可实现另外两个功能（1）源极跟随器（2）共源共栅管。晶体管也可作开关。后续讲解。 第一个放大器:gm把输入电压转换成电流，偏置是用输入电压源VB也即VGS完成的。另外两个分别称为源极跟随器和共源共栅放大器。两者都是通过直流电流IB进行偏置。其VGS能自身调整，使电流流过。在源极跟随器中，小信号输入到电压栅极，output在源极。由于电流源的电流保持恒定，VGS也是恒定，小信号输入的任何变化引起小信号输出的相同变化，∴电压gain是1.因此称为源极跟随器或者是电压缓冲器。之所以称缓冲器，∵Rin=∞，Ro=1/gm。该电路将电压精确地从高阻抗转到低阻抗。Eg.应用在麦克风，生物电势前置放大器中，其内阻抗高达几百M . NMOST源极跟随器。先将体（bulk）接触孔连到源极，这只在P阱CMOS工艺中才有可能。更普通的n阱CMOS工艺中，只采用PMOST源极跟随器，否则不能把体端连到源极上。if直流电流源是IB,从电流表达式得出VGS值，直流输出电压是直流栅极电压VB-VGS。为了得到最大的输出摆幅，可优化VB。通常源极跟随器只能处理小信号，但在功率放大器的输出级中使用时，对输出摆幅的优化有一定的要求。将MOST小信号model代替，可得Ro=1/gm。可将rDS忽略，而1/gm取决于VGS-VT和L。 在n阱CMOS工艺的nMOST源极跟随器中，体端可能不能连到源极，则MOST存在电压VBS，实际上VBS=Vout，VGS不再恒定，∵小信号对它的影响不再是零。if 将VT表示成VBS的函数，得到非线性的Vout对VIN的表达式。-体效应或寄生的JEFT，if ，由于n是一个不确定值n 。输出阻抗相对较小 = ‖ ，在输出端得到的是MOST与寄生JFET的并联。 if 体端与源极相连（ ），曲线slope=1:AV=1。if 体端与地相连（0），曲线是非线性的，产生失真，此外由于斜率依赖直流偏压，增益值是不确定，∴最好不采用这种源极跟随器。在n阱CMOS工艺中，假定pMOST体端与源极相连，可以只使用pMOST源极跟随器。 源极跟随器从某种意义上是一个理想的缓冲器，将输入电压无衰减地从无穷大的输入阻抗转变为阻抗仅为1/gm的输出电压（if 体端与源极相连）。对应的双极型电路：发射极跟随器的情况并不一样。双极型晶体管有IB，有限的输入电阻 ，输出电阻也增加了另一个分量： 。一个双极型晶体管只提供在输入与输出之间的有限的隔离值 ， 越高，隔离度越好，MOST的 =∞，因此提供了∞的隔离度。双极型晶体管的输入电阻不可能像MOST源极跟随器一样是无穷大。其值从发射极看到的电阻乘 。对如前置放大电路（麦克风）是远远不够的。∴常采用一些发射跟随器级联的结构。 在高f下，源极跟随器的缓冲能力↓，幅频特性上有尖峰。小信号模型中∵含三种C，增益表达式复杂。研究方法用一个特定的参数为变量，画零极点图。选gm为变量，取决电流。电流表征功耗。分母含两个极点，一个零点。fd与fnd交叉处有阴影区域。这个区域中，极点是复数，Bode图中产生尖峰。此时有一最佳电流（非常小）。if 电流非常小，fd（或带宽）非常小，带宽随着I↑而↑。增大I会出现复极点，if继续↑到更大的电流，带宽停止↑。下面找这个电流值。 过复极点区域中部的跨导值为gmr。它依赖于源电阻RS和CDG(从栅到地)，增大栅极的C可减小尖峰最高处的跨导或电流来改善尖峰。阴影区域的宽度为△gmr，CDG↑→△gmr↓-称源极跟随器补偿。实际在源极跟随器前加一个lowpass filter来避免复极点出现。非主极点与零