二极管地主要参数.doc

二极管的主要参数 　　用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 　　1、最大整流电流 　　是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 　　2、最高反向工作电压 　　加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 　　3、反向电流 　　反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 　　4.动态电阻Rd 　　二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。 编辑本段 半导体二极管参数符号及其意义 　　CT---势垒电容 　　Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 　　Cjv---偏压结电容 　　Co---零偏压电容 　　Cjo---零偏压结电容 　　Cjo/Cjn---结电容变化 　　Cs---管壳电容或封装电容 　　Ct---总电容 　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 　　CTC---电容温度系数 　　Cvn---标称电容 　　IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 　　IF（AV）---正向平均电流 　　IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 　　IH---恒定电流、维持电流。 　　Ii--- 发光二极管起辉电流 　　IFRM---正向重复峰值电流 　　IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） 　　Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 　　IF(ov)---正向过载电流 　　IL---光电流或稳流二极管极限电流 　　ID---暗电流 　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流 　　IEM---发射极峰值电流 　　IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 　　IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 　　ICM---最大输出平均电流 　　IFMP---正向脉冲电流 　　IP---峰点电流 　　IV---谷点电流 　　IGT---晶闸管控制极触发电流 　　IGD---晶闸管控制极不触发电流 　　IGFM---控制极正向峰值电流 　　IR（AV）---反向平均电流 　　IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 　　IRM---反向峰值电流 　　IRR---晶闸管反向重复平均电流 　　IDR---晶闸管断态平均重复电流 　　IRRM---反向重复峰值电流 　　IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） 　　Irp---反向恢复电流 　　Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 　　Izk---稳压管膝点电流 　　IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 　　IZSM---