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将晶体结构截分为一个个彼此互相并置而等同的平行六面体的基本单位，即为晶胞。晶胞是晶体的基本结构单位，客观地反映了晶体结构三维周期性。在完整晶体中，晶格在空间的三个方向上都具有一定的周期对称性，这样可以取一个以结点为顶点，边长等于这三个方向上的周期的平行六面体作为最小的重复单元，来概括晶格的特征，这样的重复单元称为原胞。具有整流特性的金属和半导体接触称为肖特基接触金属和半导体接触时，不产生明显的附加阻抗，不会显著改变半导体内部的平衡载流子浓度，且具有线性和对称性的电流-电压关系，这样的接触称为欧姆接触。当半导体受到光注入、电注入等外界干扰时，半导体内部的载流子浓度会偏离热平衡状态下的载流子浓度，多出来的那部分载流子称为非平衡载流子，或称为过剩载流子。晶格常数——晶格中两个相邻格点之间的距离，用a、b、c来表示，晶格常数描述了晶格的大小金刚石结构——两个面心立方沿着空间对角线位移1/4的空间对角线距离所构成的晶体结构，金刚石结构的晶胞是立方体，原胞是正四面体，晶体硅就属于金刚石结构。N型半导体和p型半导体接触时，由于载流子的扩散和漂移，在接触的界面处留下不能移动的正电中心和负电中心，正电中心和负电中心携带的电荷所组成的区域称为空间电荷区，在达到热平衡时，空间电荷区宽度一定，空间电荷量一定肖特基缺陷：当晶格原子扩散到晶体最外层时这使得晶格中仅残留的空位没有自间隙原子。影响固溶度的主要原因是电化学和价位效应缺陷那级：空位呈受主，自间隙原子呈施主；位错易集聚杂质，从而引入能级，面缺陷引人深能级。本征半导体的载流子溶度只是温度的函数；掺杂半导体的载流子溶度，在非本征区，与掺杂溶度有关。半导体材料一般应用于非本征区P-N结的制备方法;合金法；扩散法；离子主人法；薄膜生长法液体必须有一定的过冷度，结晶才能自行挥发fz法：区熔法?????? cz法：直拉法掺杂方法：填装法；气相掺杂法；中子 变掺杂利用铸造技术制备多晶硅两种工艺;浇铸法：即在一个坩埚内将硅料溶化，然后将熔硅注入另一个经过预热的坩埚内冷却，通过控制冷却速度，采用定向凝固技术制备大晶粒的铸造多晶硅;直熔法：即在坩埚内直接将多晶硅溶化，然后通过坩埚底部的热交换等方式，使熔体冷却，采用定向凝固技术制造多晶硅。金属杂质被吸除的步骤;1原金属沉淀的溶解，2金属原子的扩散，扩散到吸杂位置，3金属杂质在吸杂点的重新沉淀。??? 吸杂机理;1松弛机理 2分凝机理对于N型半导体，电子是多数载流子，溶度高，而P型半导体电子是少数载流子，溶度低晶体：由原子、离子、分子或某些基团的重心有规则排列而成?????????????? 的固体单晶体：指其内部的原子都是有规则地排列的晶体多晶体：从局部看，其原子、离子或分子是有规则排列的，但从整体看，它又是不规则的，可以说多晶是单晶组成的空间点阵 ：把组成晶体的粒子（原子、离子或分子，统称为结构基元 ）抽象为几何点 ，在三维空间中形成有规律的某种对称排列 ，由这些结构基元在空间周期性排列的总体称之为空间点阵结构。??????????????????????? 晶体结构 =点阵+基元波函数 ：描述一个体系的量子态 为了定量地描述微观粒子的状态，量子力学中引入了波函数，并用ψ表示。一般来讲，波函数是空间和时间的函数，并且是复函数点缺陷：其特征是在三维空间的各个方面上尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺度， 故称零维缺陷，包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子等；线缺陷：其特征是在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称一维缺陷，如各类位错；面缺陷：其特征是在一个方向上尺寸很小，另外两个方向上扩展很大，也称二维缺陷．晶界、相界、孪晶界和堆垛层错等都属于面缺陷。体缺陷：空隙和析出物杂质分凝?????? 由两种或两种以上元素构成的固溶体，在高温熔化后,随着温度的降低将重新结晶，形成固溶体。??????? 杂质在固体和熔体中的浓度是不同的，在结晶的过程中会发生偏析，称为分凝现象。实际晶体生长时，不可能达到平衡状态，也就是说固体不可能以无限缓慢的速度从熔体中结晶，因此，熔体中的杂质不是均匀分布的。例如，杂质在熔体中扩散的速度小于晶体结晶的速度的话，则在固液界面熔体一侧会出现杂质的堆积，形成一层杂质富集层。此时固液界面处固体一侧杂质浓度和液体中杂质浓度的比值，称为有效分凝系数?? 氧沉淀氧在直拉单晶硅中通常是以过饱和间隙态存在，因此，在合适的热处理条件下，氧在硅中要析出，除了氧热施主以外，氧析出的另一种形式是氧沉淀。在晶体生长完成后的冷却过程和硅器件的加工过程中，单晶硅要经历不同的热处理过程。在低温热处理时，过饱和的氧一般聚集形成氧施主；在相对高温热处理或多步热处理循环时，过饱和的氧就析出形成样氧沉淀。位错是晶体在外力的作用下，部分晶体在一定的晶面上沿一定晶体方向产生滑移，