式电子显微镜原理简介.pptxVIP

扫 描 电 子 显 微 镜 原 理Theory of Scanning Electron Microscope;OM，TEMSEM的成像原理;OM，TEMSEM的比较表; 扫描电镜的优点;Optical Microscope VS SEM;扫描式电镜结构原理图;扫描式电子显微镜放大原理;一.照明系统;电子枪的结构;电子枪的分类;钨丝电子源;场发射枪;二.成像电磁透镜系统;扫描式电子显微镜的透镜系统;扫描式电子显微镜的透镜系统;球差 (Spherical Aberration);理想的高斯轨迹和旁轴(一级)近似Gauss optics and paraxial approximation;光栅Apertures;象散 (Stigmatism);消像散：Stigmation Correction;三.样品室、真空及电气系统;电子束与样品之间的作用;各种信号的深度和区域大小;可供SEM侦测的信号:;二次电子产额δ与二次电子束与试样表面法向夹角有关，δ∝1/cosθ。 因为随着θ角增大，入射电子束作用体积更靠近表面层，作用体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多；其次随θ角的增加，总轨迹增长，引起价电子电离的机会增多。;（a）陶瓷烧结体的表面图像（b）多孔硅的剖面图;可供SEM侦测的信号:;背散射电子像;两种图像的对比;3.X射线：当内层电子被击出后，外层电子掉入内层电子轨道而发出X射线，由此可分析元素成分。 4.俄歇电子：入射电子在样品原子激发内层电子后外层电子跃迁至内层时，多余能量转移给外层电子，使外层电子挣脱原子核的束缚，成为俄歇电子。可用于化学元素分析，由于其激发深度（5～10nm）远小于X射线，因此具有更高的空间分辨率。 5. 背散射衍射电子：当背散射电子满足布拉格衍射条件时，会产生衍射，形成菊池线，携带了样品的晶体学信息。EBSD ;四.影像侦测记录系统;影像的产生;二次电子探测器示意图;二次电子大部分信号穿过栅网，打到闪烁体上，转换成光信号，经光电倍增管输出的电流信号接到视频放大器，再稍放大后即可用来调制显像管亮度，从而获得图像。;低真空二次电子探头;影像放大倍率的改变;五. 扫描电子显微镜的主要性能;分辨率;景深 ;六. 样品制备;;七、注意事项;THE END