微细加工-7-光学光刻.pptVIP

* 第 7 章 光学光刻 光刻 曝光 刻蚀 光源 曝光方式 7.1 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率、对准精度 和生产效率。 涂光刻胶（正） 选择曝光 光刻工艺流程 显影（第 1 次图形转移） 刻蚀（第 2 次图形转移） 光源 紫外光（UV） 深紫外光（DUV） g 线：436 nm i 线：365 nm KrF 准分子激光：248 nm ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm X 射线，0.2 ~ 4 nm 电子束 离子束 有掩模方式 无掩模方式 （聚焦扫描方式） 接触式 非接触式 接近式 投影式 反射 折射 全场投影 步进投影 扫描步进投影 矢量扫描 光栅扫描 混合扫描 曝光方式 7.2 衍射 当一个光学系统中的所有尺寸，如光源、反射器、透镜、掩模版上的特征尺寸等，都远大于光源波长时，可以将光作为在光学元件间直线运动的粒子来处理。 但是当掩模版上的特征尺寸接近光源的波长时，就应该把光的传输作为电磁波来处理，必须考虑衍射和干涉。由于衍射的作用，掩模版透光区下方的光强减弱，非透光区下方的光强增加，从而影响光刻的分辩率。 7.3 调制传输函数和光学曝光 无衍射效应 有衍射效应 光强 定义图形的 调