Mg掺杂ZnO所致禁带宽度增大现象研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $$ 2 ’%%( 2 ， ， ， BR8 /$$ MR /2 G=JD=5W=E ’%%( （ ） %%%4)’2%L’%%(L$$ %2 LH%24%# UTNU V1KGITU GIMITU !’%%( T7+ / VF0 / GR? / ! 掺杂#$% 所致的禁带宽度增大现象研究! 靳锡联 娄世云 孔德国 李蕴才 杜祖亮! （河南大学特种功能材料重点实验室，开封 #$%%） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’%%( ’%%( ) ’# 采用第一性原理的超软赝势方法，研究了纤锌矿 及不同量 掺杂 合金的电子结构 理论计算表明， *+, -. *+, / 的掺杂导致 晶体的禁带宽度增大 研究发现， 态决定导带底的位置， 的掺入导致 态向高能端 -. *+, / *+ 0 -. *+ 0 的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因/ 关键词：密度泛函理论，赝势， 掺杂 -. *+, ： ， ’(( # $- # $1 ［ ］ 理 ( ；张勇等研究了 掺杂锐钛矿 的红移现 O= N7,’ ［ ］ 引 言 # @ 象 等，在这些计算中，计算结果与实验结果符合 得很好 本文利用第一性原理赝势方法，对 掺杂 / -. 近 年来，由于光电信息技术的发展，紫外短 % *+, 问题进行了研究，并对其蓝移现象的微观机理 波光电器件成为研究的热点/ *+, 是一种宽带隙半 进行了细致地分析/ 导体材料，由于它在紫外波段存在受激发射而成为 ［— ］ 一种重要的光电材料并引起人们的极大重视 ) / ’ @ 模型构建与计算方法 研究发现，在 *+, 中掺入