NOR与NAND的区别.pdfVIP

NOR 和 NAND 的区别 --1 NOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 NOR 一般只用来存储少量的代码，主要应用在代码存储介质中； NAND 则是高存储密度数据的理想解决方案，适合于数据存储。 器件特点： NOR 的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯 片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR 型）flash 闪存 内运行，不必再把代码读到系统RAM 中。在 1～4MB 的小容量时具有很高的成 本效益，但 是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦 除的速度也很快。应用NAND 的困难在于 flash 的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较： 任何 Flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数 情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。 NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而 NOR 则要求在进行擦除前先 要将目标块内所有的位都写为 0 。 由于擦除NOR 器件时是以 64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的 时间为 5S，与此相反，擦除NAND 器件是以 8～32KB 的块进行的，执行相同的 操作最多只需要 4ms 。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计表 明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时) ，更多的擦除操作必须在基 于 NOR 的单元中进行。 这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR 的读速度比NAND 稍快一些。 ● NAND 的写入速度比NOR 快很多。 ● NAND 的4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口差别： NOR flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取 其内部的每一个字节。 NAND 器件使用复杂的 I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可 能各不相同。8 个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND 读和写操作采用 512 字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作， 很自然地，基于 NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 容量和成本： NAND flash 的单元尺寸几乎是NOR 器件的一半，由于生产过程更为简单， NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR flash 占据了容量为 1～16MB 闪存市场的大部分，而NAND flash 只 是用在 8～128MB 的产品当中，这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中， NAND 适合于数据存储，NAND 在 CompactFlash、 Secure Digital 、PC Cards 和 MMC 存储卡市场上所占份额最大。 可靠性和耐用性： 从寿命(耐用性) 、位交换和坏块处理三个方面来比较 NOR 和 NAND 的可靠性。 l 寿命(耐用性) 在 NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而 NOR 的擦写次数是 十万次。NAND 存储器除了具有 10 比 1 的块擦除周期优势，典型的NAND 块尺 寸要比 NOR 器件小 8 倍，每个 NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少 一些。 l 位交换 所有 flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND 发生的次 数要比 NOR 多) ，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的 变化可能不 很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。 如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。 当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。 位反转的问题更多见于 NAND 闪存，NAND 的供应商建议使用NAND 闪存的时 候，同时使用 EDC/ECC 算法。 这个问题对于用 NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存 储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用 EDC/ECC 系统 以确保可靠性。 l 坏块处理 NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除