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第36卷第2期 红外与激光工程 2007年4月
V01．36No．2 In位鹏dandLaser Apr．2007
EngiIleeriIlg
陈宇1，严丽红2，王良臣1
(1．中科院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，北京100083；
2．贝联(上海)有限公司，上海200118)
摘
中浓度较高的H原子使Mg一受主钝化，同时在pGaN材料表面发生反应形成浅施主特性的Nv空位。
高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的Si02和Si№材料，阻碍了H原子
物密度的提高，空穴浓度急剧下降，导致Ni／Au透明电极，一y特性严重恶化。选择较低的射频功率
(15W，13．56MHz)沉积模式，经过适当的退火，可以减小沉积Si02过程对pGaN的影响。
关键词：等离子增强化学气相沉积法； Si02；SiNx； ，-y特性
pGaN；
中图分类号：TN304．055’文献标识码：A
InnuenceofPECVD and on
Si02 SiN．xlayersp气；aN
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(1．EngiIl∞ring Inte刚cdTecllllology，Ins甑ne Acadenly
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