电工电子技术(电子技术)——第3讲x-2012.pptVIP

主要参数(1) 晶体管参数是设计电路和选用器件的依据。 电流放大系数β， 集-基极反向截止电流ICBO 集-射极反向截止电流ICEO 集电极最大允许电流ICM 集-射极反向击穿电压U(BR)EOC 集电极最大允许耗散功率PCM 主要参数(2) 集-基极反向截止电流ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 主要参数(3) 集—射反向击穿电压U(BR)CEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。集—射极之间电压超过U(BR)CEO时，集电极电流会大幅度上升，此时，三极管被击穿而损坏。 U(BR)CEO 0 uCE iC （NPN） 集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时，? 值要下降，当? 降到原来值的2/3时，对应的IC称为ICM ICM 主要参数(4) 集电极最大允许耗散功率PCM 两个PN结上消耗的功率分别等于通过结的电流乘以加在结上的电压，一般集电结上消耗的功率比发射结大得多，用PCM表示，因此集电结的最高工作温度决定了三极管的最大集电极耗散功率。 由U(BR)CEO、PCM、ICM共同确定三极管的安全工作区，如图所示。 U(BR)CEO 0 uCE iC （NPN） ICM 安全工作区 UCEIC=PCM 过 损 耗 区 主要参数(6) 晶体管参数与温度的关系 1.温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。 2.温度每升高1?C,UBE将减小–(2~2.5)mV,即晶体管具有负温度系数。 3.温度每升高1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 2.3 基本放大电路 1 放大电路的组成 2 放大电路的工作原理 3 放大电路的非线性失真 4 射极输出器 放大电路的组成(1) 输出 信号 输入信号 放大电路 信号源 负载 直流电源 + _ ui ii 信号功率小 输入、输出信号表现为电压或电流，因此，放大电路具有两个端口。 信号功率增大 所谓放大,实际上是一种能量转换，即通过半导体器件的控制作用，将直流电源的能量转换为信号能量，实现信号功率的增强。 转换 + _ uo io 放大电路的组成(2) 共射极放大器的组成 ii uBE - + io uo - + iB uCE - + iC + + ~ ui - + 放大的条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 UCC 放大电路的核心 交流信号源 交流负载 与EB一起为三极管提供合适的基极电流 将集电极电流的变化转换成集射极电压的变化与EC一起为三极管提供合适的UCE 输入耦合电容 输出耦合电容 放大电路的组成(3) 共射极放大器的特点 1.交流放大电路中既有直流电源，又有信号源。因此是一个交直流共存的电路； 2.晶体管本身是一个非线性元件，因此，放大电路实质上是一个非线性电路。 uBE=UBE+ui uCE=UCE+uce iB=IB+ib iC=IC+ic + + 放大电路的工作原理（1） uBE UBEQ iB IBQ iC ICQ uCE UCEQ ib ic uce ui t t t t 0 0 0 0 放大电路的工作原理（2） 放大电路的工作原理 uBE UBEQ iB IBQ iC ICQ uCE UCEQ ib ic uce ui t t t t 0 0 0 0 反相放大 放大电路的波形失真(1) （1）当放大电路的静态工作点设置在输出特性的放大区时，放大器工作在放大状态，输出信号完全不失真的反映输入量的变化。 （2）当工作点设置的不合适时，输出量就不能复现输入信号。这时，放大电路出现了失真，如果工作点太低，靠近截止区使输出产生的失真叫截止失真。如果工作点太高，靠近饱和区使输出产生的失真叫饱和失真。 （3）即使放大器工作在放大状态，如果输入信号太大，输出信号仍然会产生失真，这种失真称为大信号失真。 uBE iB(uA) 0 0 t uBE uBEQ iBQ uCE (V) ic (mA) 0 0 t uCE 1、根据ui的波形通过输入特性画出iB波形 2、画出输出回路的交流负载线 3、通过交流负载线画出iC和uCE的波形 uCE (V) ic (mA) 0 0 t uCE uCE (V) ic (mA) 0 0 t uCE uCE (V) ic (mA) 0 0 t uCE 由此再一次证明：放大电路要正常工作，必须设置一个合适的静态工作点。 工作点适合，输出完全复现输入。