国立交通大学与英国、芬兰研究团隊於混合式光子晶体发光.PDF

國立交通大學與英國、芬蘭研究團隊於混合式光子晶體發光 二極體之研究應用於微顯示器(Micro display)有重大突破 量子點發光二極體 (QLED)技術是近年顯示器技術的新領域。自 1981 年量子 點被發現，經過 20 多年的技術發展， 2000 年以後量子點製備技術漸漸成熟 ，帶 動了其應用領域的 蓬勃發展 而不僅僅於學術研究上的突破。目前，量子點發光二 極體進入實用化的領域是彩色顯示器技術，號稱具有可與有機發光二極體(OLED) 相比擬之優點，包含色彩鮮豔度、並可製作成可撓式顯示器(Flexible display) 、微 顯示器 (Micro display) 等等。 然而，過去結合量子點(QDs)與發光二極體的技術，多半將量子點塗佈於常 規的發光二極體 結構上，或以蝕刻技術將量子點嵌入覆晶發光二極體的基板 中 。而不論何種方式，由於量子點 與發光二極體中的發光結構量子井 (MQWs) 距離過遠，其能量轉換僅由光子激發量子點轉換出色光，其一般來說的外部量子 效率(EQE)始終低於 40% ，造成過多的能量損耗，不易製作出低功耗的電子設備。 國立交通大學郭浩中教授 、林仲相教授、林建中教授及陳皇銘教授團隊、與 英國南安普頓大學Martin D. B. Charlton 博士共同開發了新式的混合式光子晶體 發光二極體 技術。其技術特點在於使用奈米製程與奈米壓印技術蝕刻發光二極 體 ，製作奈米孔洞貫穿量子井區域，隨後以噴塗技術將量子點 注入奈米孔洞中使 量子點可以與量子井直接接觸，以換取最大的能量轉換效益。此外，奈米孔洞以 光子晶體的型式做排列，將有效的將光形成駐波，以波導的方式進行傳遞，達成 多次的量子點激發，達到最高的色轉換效率。而交通大學與芬蘭原子層沉積系統 (ALD)技術權威 Picosun Oy ，則共同開發了奈米孔洞的側壁鈍化(passivation)技 術，以原子層沉積介電質與電漿處理的方式，減低蝕刻製程造成的側壁損傷，減 少量子點能量轉換時的非輻射複合，讓量子點貢獻出最大的轉換效率。 綜合各項技術的特點，其研究結果 達成了目前世界紀錄的量子產率 (Quantum yields) ，單色光轉換效率達123% ，白光可達110% ，過程中整合了物理、半導體 製程技術與光學設計，可說是整合研發先進技術的典範。其研究成果不但結合郭 浩中教授、林仲相教授、林建中教授團隊以及陳皇銘教授過去於量子點封裝技術 經驗以及先進、高精密的量子點噴塗技術，更開啟與國際知名學術團隊的合作契 機，為國立交通大學於光電技術上帶來劃時代的突破，更可與產業界合作，佈局 光電元件的技術專利，榮譽共享全球。其研究成果已發表於OSA 頂級期刊Optica [1] 、Advance Functional Material [2] 、Optics Express [3] 等國際著名 學術期刊 ，也 被 EETimes報導享譽國際 。 參考文獻: [1] C. Krishnan, et al., Optica, vol.3, pp.503 (2016); [2] K. J. Chen, et al., Adv. Func. Mat, vol.22, pp.5138 (2012) ; [3] H. V. Han, et al., Opt. Expr., vol.23, pp.32504 (2015) 圖 (一) (a) 本研究中所採用的新式結構示意圖，量子點與量子井區域有緊密的結 合；(b) 奈米孔洞的剖面電子顯微鏡影像；(c) 奈米孔洞排列成光子晶體的圖案， 可供增加轉換效率。 圖 (二) (a) 本研究中新式的混合式光子晶體發光二極體的發光色域圖 ；(b) 高達 123%與110%的量子產率量測結果。