半导体材料及二极管.ppt

二极管的特性与PN结的特性基本相同。 1、二极管的伏安特性 形式上，二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相同： 二极管的核心是PN结。 三、二极管的特性及模型 式中：IS为二极管的反向饱和电流，比PN结的略大一点。 ①二极管的单向导电特性 二极管正偏时，其伏安特性可近似为： 二极管反偏时，其伏安特性可近似为： 正偏二极管存在一个导通电压VON，小功率硅二极管导通电压的典型值VON = 0.7V，小功率锗二极管导通电压的典型值VON = 0.3V。 二极管反偏时，锗管的反向饱和电流至少比硅管大三个数量级以上。 温度增加时，二极管的反向饱和电流明显增大。 ②二极管的反向击穿导电特性 反向击穿现象——PN结的反偏电压大到一定值时，反向电流会急剧增大。 反向击穿原因： 雪崩击穿——价电子被碰撞电离，发生于低掺杂PN结；击穿电压一般在6V以上； 齐纳击穿——价电子被场致激发，发生于高掺杂PN结；击穿电压一般在6V以下。 只要保证击穿时平均管耗不超过允许值，二极管的反向击穿是一种可逆的电击穿。 二极管的反向击穿特性曲线： vD iD 稳压二极管（稳压管）是一种专门工作在反向击穿状态的二极管。 2、二极管的直流电阻和交流电阻 二极管的伏安特性表明其为非线性电阻。 二极管的直流电阻——一般将二极管的直流电压VD和直流电流ID称为二极管的工作点Q，将该工作点Q 处直流电压直流与电流的比值定义为直流电阻RD，即： 二极管的交流电阻——将二极管工作点Q 处微变电压增量与微变电流增量的比值定义为交流电阻rd，即： 3、二极管模型 分析含二极管的电路时，由于涉及二极管伏安特性（也称为二极管方程）这样的非线性方程，工程上一般不采取直接计算的方法。 工程上常用的一种方法是图解法，又称负载线法； vD iD iD vD + - 300Ω 3V 例1：用图解法求图示电路的vD和iD 。 0.72 7.6 工程上常用的另一种方法是模型法——用理想元件构成的等效电路来近似非线性器件。 ①二极管的大信号模型 理想开关模型： 恒压源模型： vD iD vD iD 折线近似模型 vD iD 例1.1(p18)：用模型法求图示电路的vD 和iD 。 iD vD + - 300Ω 3V 二极管用恒压源模型 vD= 0.7V , iD 0 iD vD=0.7V + - 300Ω 3V ②二极管的小信号模型 一般情况下iD =ID+ id、vD =VD+vd，若id 、vd足够小，在工作点Q（ID、VD）附近二极管可以线性化，根据叠加原理，可以分别进行ID、VD 及id 、vd 分析。 计算ID、VD称为求工作点Q ，需画出只反映ID、VD的电路——直流通路； 计算id 、vd称为交流小信号分析，需画出只反映id 、vd的电路——交流通路，相应需要二极管的小信号模型。 二极管的小信号模型就是二极管在工作点Q处的交流电阻rd 。 例2：图示电路中v = 2sin(2π×104t ) mV ，C = 200mF，求id 。 iD vD + _ 300Ω 3V + _ v C 解：画出直流通路 VD ID + _ 300Ω 3V 二极管用恒压源模型 求出工作点Q 的交流电阻 ID VD=0.7V 300Ω 3V 画出交流通路 + _ v id rd 300Ω + _ v id vd 300Ω + _ 二极管用小信号模型 作业(p38-39)：1.4、1.6、1.7 ①半波整流电路 1、整流电路 当vi (t) 0时，D导通；当vi (t) 0时，D截止；分析整流电路时二极管一般用理想开关模型。 + _ vo(t) + _ vs(t) . . D + _ vi (t) 四、二极管的应用 ②全波整流电路 当vi (t) 0时，D1导通、D2截止；当vi (t) 0时，D1截止、D2导通。 + _ vo(t) + _ vs(t) D1 D2 . . vi (t) + _ ③桥式整流电路 当vi (t) 0时，D1D3导通、D2D4截止；当vi (t) 0时，D1D3截止、D2D4导通。 + _ vo(t) + _ vs(t) D1 D2 . . D4 D3 vi (t) + _ 实用的整流电路一般需配套滤波电路。 加入滤波电路后，D的导通时间远小于半同期。 + _ vo(t) + _ vs(t) . . D vc(t) + _ + _ vi (t) 2、限幅电路 ①并联型双向限幅电路 + _ vo(t) + _ vi (t) D1 D2 V1 V2 分析限幅电路时二极管可以用理想开关模型，也可以用恒压源模型。 当vi (t) V1时，D1导通、D2截止；vi (t) -V2时，D1截止、D2导通；而当V1 vi(t) -V2时，D1、D2均截止。 + _ vo(t) +