第11讲绝热电路类型等.ppt

Adiabatic电路 一、静态CMOS反相器的能耗 功耗从哪儿来？ 功耗一般分两种(1)开关的动态功耗， 1 电容充放电 2 P/N MOS 同时打开形成的瞬间短路电流 (2)来自漏电的静态功耗 1 扩散区和衬底形成二极管的反偏电流 2关断晶体管中通过栅氧的电流 芯片的漏电会随温度变化，所以当芯片发热时，静态功耗指数上升，漏电流也会随特征尺寸减少而增加。 公式：Ptotal = Pdynamic + Pshort + Pleakage 一、传统CMOS的能耗 每周期能耗 减小能耗方法：第一，多阈值泄漏优化（mutiple threshold leakage optimization）。库文件一般有三版：低Vth(快，大漏电)，标准Vth,高Vth(慢，低漏电)。工具一般尽量用高Vth cell,而由于timing限制则需用低Vth cell.很明显，选库很重要。? ?? ?第二，多个电压域（multiple voltage domains）。不同工作电压需要库的支持。不同电压区域的划分则需要前后端设计的协作。? ?? ???第三，基于门控时钟的本地锁存。这是在成组的flop之前加上特定的时钟门控锁存. ? ?? ???第四，分类门级优化（Classical gate level optimization）。改变单元尺寸，去除不必要的buffer,合并门，加入buffer减少skew,调整逻辑等等。 影响系统功耗的主要因素有工作电压、负载电容、门电路的开关次数和时钟数。这些参数就是进行SOC系统低功耗设计的出发点。 二、 绝热计算原理 电路能量的循环利用代替散热,采用交流电源 电能转换为热能 电能向磁能的转换 使用的功率时钟在上升或下降中具有渐变过程, 它的能量传输方式是电源-信号节点-电源 绝热电路通过回收结点电容上的电荷至电源实现了能量的重复利用。 绝热计算过程： 式（1）中E1为这一过程注入电路的总能量，E2为充电结束时结点电容最终存储的能量。由于电容器中的电流I(t)和电压Vc(t)之间有如下关系： （2） 因此可通过积分得到 如果把（2）式代入（1），我们可以得到： （3） 在采用直流电源的CMOS电路中 采用常量 ： 则有 （4） 由式（1）可以得出，该结点在充电过程中的能量损耗为： 然 根据绝热电路的上述工作原理，它的输出将通过导通的MOS器件跟随功率时钟的变化而成为一种钟控信号。因此，对该MOS器件的控制信号具有一定要求，它作为电路的输入信号也应具有钟控信号的形式。如果它与本级功率时钟具有相同的相位，则就不能很好的控制该MOS器件的开通以实现输入功率时钟的无损耗传输。 三、几种典型的绝热电路 1、ECRL / 2N-2P 有效电荷回收逻辑(ECRL) 以前的绝热电路在预充电时传递能量，在赋值期恢复能量。但是现在绝大多数被推荐的绝热电路使用二极管或类似二极管的设备来预充电。但是在二极管间的电压下降会导致不可避免的能量消耗。有效的电荷恢复逻辑（ECRL）又称2N2P电路，采用一种新的方法，这种方法同时执行预充电和赋值。ECRL去除了预充电的二极管，而且比其它的绝热电路能耗要小得多。ECRL转换器链和CLA都是采用这种方法来构造的 ECRL的一般示意图如下： 逻辑赋值电路由两个nMOS管逻辑(F和Fb)构成，能量恢复电路由两个pMOS管(P1，P2)构成。输出节点的能量通过P1或P2恢