第1章微电子概论概述.ppt

第1章 概述 参考书 1．（加）Dan Clein著，邓红辉 王晓蕾 耿罗锋译. CMOS IC Layout Concepts, Methodologies and Tools，CMOS集成电路版图——概念、方法与工具，电子工业出版社，2006-01. 2．模拟电路版图的艺术The?Art?of?Analog?Layout???--Alan?Hastings 3．CMOS?Circuit?Design,Layout,and?Simulation --R.Jacob?Baker,Harry?W.Li,David?E.Boyce 4．Design?of?Analog?CMOS?Intergrate?Circuits?--Behzad?Razavi 5．边计年 等编著. 数字系统设计自动化（第2版）. 清华大学出版社，2005-7-1 6． Analysis and Design of Analog Integrated Circuits P.R.Gray Design of Analog CMOS Intergrate Circuits 模拟CMOS集成电路设计Behzad Razavi 7．CMOS Analog Circuit Design Phillip E.Allen 微电子技术是当代信息技术的一大基石。1947年美国贝尔实验室的William B.Shockley（肖克利），Walter H. Brattain（波拉坦）和John Bardeen（巴丁）发明了晶体管，他们为此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。图1.1是代表这一具有划时代意义的点接触式晶体管的照片。 Why VLSI? 1958年12月12日，在德州仪器公司（TI）从事研究工作的Jack Kilby（克尔比）发明了世界上第一块集成电路IC（Integrated Circuits），为此他在42年后获得了2000年的诺贝尔物理学奖。图1.2给出Jack Kilby发明的世界上第一块集成电路（IC）照片。 以上两项革命性的发明推进人类社会进入微电子时代和信息时代，表1.1列出1947年以来集成电路相关工艺技术、电路规模和产品的发展概况。 表1.1 集成电路相关工艺技术、电路规模和产品的发展概况 Moore’s Law Intel Pentium (II)---1997 当前国际集成电路技术发展趋势 表1.3列出了世纪之交时美国半导体协会给出的集成电路制造技术进程路标（Roadmap） 表1-3 集成电路制造技术进程路标 集成电路技术发展趋势 1.特征尺寸：微米?亚微米?深亚微米，目前的主流工艺是0.35、0.25和0.18 ?m，0.15和 0.13?m已开始走向规模化生产；90nm工艺正在推出。图1.7自左到右给出的是宽度从4?m?70 nm按比例画出的线条。由此，我们对特征尺寸的按比例缩小有—个直观的印象。 IDM与Fabless集成电路实现 Fabless and Foundry: Definition无生产线与代工: 定义 表1-5 境外主要代工厂家所在的地区和其主导（特有）工艺 芯片工程与多项目晶圆计划 Many ICs for different projects are laid on one macro-IC and fabricated on wafers The costs of masks and fabrication is divided by all users. Thus, the cost paid by a single project is low enough especially for RD（研发） The risk of the IC’s RD becomes low 系统知识。 对于计算机学科：计算机软硬件系统； 通信学科：有程控电话系统、无线通信系统、光纤通 信系统等； 信息学科：有各种信息处理系统； 控制学科：有各种控制系统。 SOC时代，系统工程师必须亲自参与SOC级别集成电路的设计。另一方面，以往的器件和电路工程师在SOC时代必须熟悉系统，以实现SOC的设计。这就是说，所有的集成电路设计工程师都必须掌握一定的系统知识。这些知识包括软件和硬件两个方面。对于从事前端设计的工程师来讲，则必须对系统的理解达到精通的程度。 电路知识。既然是集成电路设计，电路知识就是核心知识。集成电路设计工程师，特别是在逻辑门级、晶体管级和版图级从事设计的工程师，必须对各类功能电路和基本单元电路的原理和设计技术达到融会贯通的程度。集成电路设计相对于数字电路、模拟电路和模数混合电路设计需要更多的知识、技术和经验。射频电路RFIC、微波单