适用SAW器件的ZnOTiSi薄膜制备及缺陷分析.pdfVIP

· 光电子 激光 第 卷第 期 年 月 · ２３ ９ ２０１２ ９ Ｖｏｌ．２３Ｎｏ．９ Ｓｅ ｔｅｍｂｅｒ２０１２ 　　　　　　 　 　 ｐ 　 　　　　　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯ ｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌａｓｅｒ 　 　 ｐ 适用 器件的 ／ ／ 薄膜制备及缺陷 ＳＡＷ ＺｎＯ ＴｉＳｉ 分析 ＊ ， ， 徐 寅 杨保和 李翠平 　 （ ， ） 天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室 天津 ３００３８４ ： （ ） ／ （ ） ， 摘要 在 衬底和 衬底上分别制备了 薄膜 探讨了 缓冲层对 薄膜结 Ｓｉ１００ ＴｉＳｉ１００ ＺｎＯ Ｔｉ ＺｎＯ ， （ ） ， 构和缺陷的影响 利用 射线衍射 测试了 薄膜的晶体结构及择优取向 利用原子力显 Ｘ ＸＲＤ ＺｎＯ （ ） （ ）， （ ） 微镜 ＡＦＭ 观察 ＺｎＯ薄膜的表面粗糙度 ＲＭＳ 利用光致发光 ＰＬ 光谱检测了 ＺｎＯ 薄膜的缺 ， 。 ， ／ （ ） 、 陷 利用四探针法测试了 ＺｎＯ薄膜的电阻率 结果表明 在 ＴｉＳｉ１００ 衬底上 衬底温度 ３５０ ℃的 ， 、 、 。 条件下 制备的 薄膜表面光滑 缺陷少 电阻率高且具有高 轴取向 本文这一工作对于压 ＺｎＯ Ｃ （ ） 。 电薄膜缺陷分析及高性能ＺｎＯ 的声表面波 ＳＡＷ 器件研制有重要意义 ： ； ； （ ） ； 关键词 薄膜 缓冲层 声表面波 器件 缺陷分析 ＺｎＯ Ｔｉ ＳＡＷ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） Ｏ４８４ Ａ １００５００８６２０１２０９１７６００８ 　　 　 　 － － －