第三章硅片制造过程中沾污控制.pptVIP

10/04 器件制造工艺 改进的RCA清洗 改进的原因：传统的RCA清洗工艺在高温下大量使用化学品和超纯水。 是关于安全和健康的重大改进，更具有成本优势。 改进的RCA清洗液亦称稀释的SC-1 配比：NH4OH/H2O2/ H2O=1:4:50 器件制造工艺 清洗方法 浸入式：将晶圆浸入腐蚀槽中，清洗后利用去离子水冲洗并对晶圆干燥，优点——批量、对金属离子的去处、杂质溶解和成本；缺点——可能使颗粒重新分布，即从晶圆背面到正面。 擦洗：使用旋转刷子在湿润的晶圆表面上进行平行移动。优点——高效的颗粒去处能力。缺点——需可以保养，定期更换或清洗刷子，有图形的晶圆清洗能力差。 加压喷射：通过高压喷嘴利用液体进行清洗。优点——有图形颗粒去处能力强。缺点——潜在破坏晶圆表面的危险，运动的流体有产生静电的趋势而导致器件损坏。 声波清洗：超声和兆声波清洗，利用声波能量引发气穴，克服颗粒的粘附力，去处颗粒。超声波频率范围20~800kHz,兆声波频率大于800kHz 去处更小的颗粒并有更好的清洗效果。 10/04 器件制造工艺 硅片清洗步骤 典型的硅片湿法清洗顺序 清洗步骤 目的 H2 SO4/H2 O2 有机物和金属 UPW清洗（超纯水） 清洗 HF/H2O 自然氧化层 UPW清洗（超纯水） 清洗 SC-1 颗粒 UPW清洗（超纯水） 清洗 HF/H2O 自然氧化层 UPW清洗（超纯水） 清洗 SC-2 金属 UPW清洗（超纯水） 清洗 HF/H2O 自然氧化层 UPW清洗（超纯水） 清洗 干燥 干燥 10/04 器件制造工艺 RCA清洗替代方案 干法清洗：等离子体基干法清洗 加鳌合剂：鳌合剂用来结合并去除金属离子。如在SC－1的氢氧化铵中加入鳌合剂（乙二胺四乙酸），作为隔离金属与粘附在硅片表面的化学杂质的手段。 加臭氧：向超纯水中加臭氧结合紧随其后的SC-2清洗步骤能有效去除诸如铜和银金属，同时能去除有机沾污。 低温喷雾清洗：原理是充分冷却气体（氩）直至形成固体冰粒，喷射到硅片表面去除颗粒沾污。 * . 器件制造工艺 器件制造工艺 第三章 硅片制造中沾污控制 器件制造工艺 3.1引言 一个硅片表面具有多个微芯片，每个芯片又差不多有数 以百万计的器件和互连线路，它们对沾污都非常敏感。随着 芯片特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而缩小， 控制表面沾污变得越来越关键。为实现控制沾污，所有的硅 片制备都要在沾污严格控制的净化间内完成。 10/04 器件制造工艺 3.2净化间基本情况 净化间最早被用于手术室内避免细菌沾污 1950年被应用于半导体工业 20世纪60年代高效颗粒空气过滤器的引入是向着硅片制造中大量减少颗粒的第一步 现代半导体制造是在被称为净化间的成熟设施中进行。这种硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、有机分子和静电释放的沾污。 沾污越少，投入越高 10/04 器件制造工艺 3.3沾污的类型 沾污：是指半导体制造中引入半导体硅片的任何危害芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。 净化间沾污分五类： 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD) 10/04 器件制造工艺 颗粒：能粘附在硅片表面的小物体 颗粒能引起电路开路或短路。它们能在相邻导体间引起短路。半导体制造中，可以接受