第3章技术磁化1.pptVIP

900畴壁示例 1800畴壁示例 根据畴壁中磁矩的过渡方式，可将畴壁分为布洛赫壁和奈尔壁两种类型： ?布洛赫壁 大块晶体材料内的畴壁属于布洛赫壁。在布洛赫壁中，磁矩的过渡方式是始终平行于畴壁平面，前面1800畴壁即为布洛赫壁。较厚块体更稳定 ?奈尔壁 极薄的磁性薄膜中存在奈尔壁。在奈尔壁中，磁矩围绕薄膜平面的法线改变方向，并且是平行于薄膜表面而逐步过渡的。较薄膜材更稳定 畴壁类型 奈尔壁示例 对于中间厚度的膜，两种类型畴壁的能量不相上下， 将会出现交叉壁，也称十字壁 见书p74 磁畴结构 理想铁磁体磁畴结构有：开放型磁畴、闭流型磁畴以及表面树枝状磁畴结构等。 两种特殊的磁畴结构：单畴和磁泡畴。 对于理想的铁磁性晶体，磁畴结构通常排列整齐，且均匀地分布在各个易磁化轴的方向上。当晶体内存在空泡、搀杂、内应力、晶粒边界以及合金中的成分起伏等因素的作用时，磁畴结构变得非常复杂。 开放型磁畴 ?又称片状磁畴结构 ? 会在磁体表面形成自由磁极，使磁体具有一定的退磁场能量。 ?由畴壁能和退磁场能构成的总能量取极小值决定了磁体稳定状态下的磁畴结构。 ? 主畴和闭合畴形成闭合磁路，使其上、下表明退磁场能为零。 ? 畴壁与其两侧畴内的自发磁化强度MS应成45o角度，以保证畴壁面上无退磁场 闭流型磁畴 表面树枝状磁畴结构 表面与磁畴中的自发磁化方向不平行，为了降低退磁场能，产生树枝状磁畴结构 此外，还有表面圆锥形磁畴结构、表面匕首封闭畴结构见书p75 杂质、空隙等的影响 S N N S N S (a)畴壁在杂质中心 (b)畴壁在杂质附近 看出：畴壁在杂质中心时，退磁场能减小很多，同时畴壁面积减小，畴壁能降低。因此畴壁位于杂质中心时为最稳定状态，畴壁位移需要外磁场做功。 所以，这种杂质和空隙越多，畴壁移动越困难，磁导率越小 单畴 ?在大块材料中，若不形成多畴，则退磁场能量很高，所以大块材料以多畴结构最为稳定。 ?若材料的尺寸变得很小，成为多畴时的畴壁能比单畴的退磁场能还要高，这时材料将不在分畴，形成单畴结构，具有更低的能量。 ?存在单畴的临界尺寸。铁磁体大于临界尺寸时，具有多畴结构；小于临界尺寸时，则为单畴结构。临界尺寸为铁磁体成为单畴结构的最大尺寸。 若颗粒足够小，整个颗粒可以在一个方向自发磁化到饱和，成为一个磁畴 —— 这样的小颗粒称为单畴颗粒。 超顺磁性 单畴颗粒内无畴壁，不会有畴壁位移磁化过程，只能有磁畴转动磁化过程。这样的材料，其磁化与退磁均不容易，具有较低的磁导率与高Hc。 颗粒尺寸越小，磁畴数目越小 畴壁能 ： 退磁场 ： 总能量取极小值时，? ， 得： 总能量： 单畴时，d=2r，得： d为畴宽；?为单位面积畴壁能； Fd为单畴颗粒退磁场能 磁泡畴 磁泡是在一些薄膜磁性材料中出现的一种圆柱形磁畴 。 见书p80-p83 待续 . . . . . . 第3章 技术磁化 磁性材料中的基本现象； 磁畴结构； 技术磁化； 动态磁化 ? 磁各向异性 ? 磁致伸缩 本节将要讲述的主要内容： 磁体在不同方向上具有不同的磁特性，这种现象称为磁各向异性 材料磁化时尺寸形状发生变化的现象，称为磁致伸缩 3.1 磁性材料中的基本磁现象 材料沿不同方向磁化的难易程度不同 易磁化轴[100] 难磁化轴[111] 铁单晶磁化曲线 3.1.1磁各向异性 镍单晶磁化曲线 易磁化轴[111] 难磁化轴[100] 钴单晶磁化曲线 易磁化轴[0001] 难磁化轴[1010] 铁磁体由磁中性磁化到饱和需要作一定的功： 沿不同方向磁化所作的功不同，所需的磁化能也不同，这种与磁化方向有关的能量称为磁各向异性能 磁各向异性可分为五类： ?磁晶各向异性 ?磁形状各向异性 ?磁应力各向异性 ?感生磁各向异性 ?交换磁各向异性 结晶磁体的磁化与晶轴有关的特性 沿不同方向的磁化与磁体积和形状有关的特性 磁化方向与应力方向有关的特性 在材料制备或处理过程中形成的一种磁各向异性 与磁矩的交换作用有关的磁各向异性 磁晶各向异性能 立方晶系 六角晶系 立方晶系的磁晶各向异性数，是材料的磁特性的重要参数之一 磁晶各向异性常数 晶体的易磁化轴或难磁化轴是随着各向异性常数K1和K2的相对大小及其符号的变化而变化的。 [111] [100] [100] [110] [110] [111] 最难 [100] [111] [110] [100] [111] [110] 较难 [110] [110] [111] [111] [100] [100] 易 至+∞ 至 ?-∞至 ?9K1至-∞ -? K1至-9K1 +∞至 -? K1 K2 —? —? ?— + + + K1 表 立方晶体的各向异