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基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究.pdf
:
艾春鹏等 基于射频磁控溅射法制备 ZnO 薄膜研究 ８１
: ( ) ( )
文章编号 １００１ ９７３１ ２０１６ 增刊 Ⅱ ０８１０４
基于射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜研究∗
１ １ １ ２ １
, , , ,
艾春鹏 赵晓锋 白忆楠 冯清茂 温殿忠
( , ;
１．黑龙江大学黑龙江省高校电子工程重点实验室 哈尔滨 １５００８０
, )
２．黑龙江大学化学化工与材料学院 哈尔滨 １５００８０
: , ( ) ( )
摘 要 研究射频磁控溅射法制备 薄膜 采用 射线衍射仪 和场发射扫描电子显微镜 研究
ZnO X XRD SEM
、 , . ,
溅射功率 溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响 并分析ZnO 薄膜阻变特性 实验结果表明 沉积态薄
‹ › , , ,
膜择优取向为 ００２ 晶向 随溅射功率和退火温度增加 择优取向显著增强 溅射功率１２０W 时薄膜生长速率可达
/ , ４ .
薄膜厚度 的 薄膜具有阻变特性且开关比可达
４．８nm min ９２nm ZnO １０
: ; ; ;
关键词 ZnO 薄膜 射频磁控溅射 微结构 阻变特性
中图分类号: 文献标识码: : / 增刊( )
TM６１４ A DOI １０．３９６９ ．issn．１００１ ９７３１．２０１６．j Ⅱ ．０１５
,
实验中采用纯度为 金属 作为溅射靶 溅射
９９．９９％ Zn
引 言
０
, .
靶直径为 ６０mm 厚度 ５ mm ZnO 薄膜沉积是在 Ar
[
,
对 ZnO 的研究最早可以追溯到 １９３５ 年 六角 和 混合气氛下进行的, 和 气体的纯度均为
O２ Ar O２
纤锌矿结构 ZnO 作为宽带隙化合物半导体(
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