第二章氧化.pptx

半导体工艺原理;第二章 氧化;2.1、SiO2的结构及性质;结晶形SiO2 由Si-O四面体在空间规则排列构成 每个顶角的O原子与两个相邻四面体中心的Si原子形成共价键;Si-O四面体在空间的排列无规则，大部分O与相邻的两个Si-O四面体的Si形成共价键（称为桥键氧），也有一部分O只与一个Si-O四面体的Si形成共价键（称为非桥键氧）；;SiO2的主要性质;网络形成者的价键数与Si不同，离子半径与Si接近，如B、P都是网络形成者。;一般以离子形式存在，离子半径较大，替代硅的可能性很小。例如Na、K、Pb、Ba等都是网络改变者。;2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数;硼、磷一类常用杂质在SiO2中的扩散系数很小， SiO2薄膜对这类杂质是一种很理想的扩散掩蔽膜。 镓在SiO2中的扩散系数非常大，所以SiO2对镓这类杂质就起不到掩蔽作用。 某些碱金属离子，如钠离子，在SiO2中的扩散系数和迁移率都非常大。如果SiO2层玷??钠离子，即使在很低的温度下，只需很短的时间就能扩散到整个SiO2层中。钠离子的玷污是造成器件性能不稳定的重要原因之一，应该尽量避免钠一类离子的玷污。 ; 杂质在Si中和SiO2中的运动都服从扩散规律，往往假定当SiO2表面处的杂质浓度与Si-SiO2 界面处的杂质浓度之比为103 时，就认为SiO2层起到了掩蔽作用。根据这样的假设和杂质在SiO2中的分布规律，就可以得到所需SiO2 层的最小厚度 xmin：;如图，是用干氧氧化方法生长的SiO2层，在不同温度下掩蔽气态P2O5和B2O3杂质源，扩散时间与所需最小SiO2层厚度xmin的关系。;SiO2掩蔽磷扩散过程示意图;2.3 硅的热氧化生长动力学;热氧化对Si界面位置影响;氧化源; 干氧氧化是指在高温下，氧气与硅反应生成SiO2。 氧化温度为900-1200℃，为了防止外部气体的玷污，炉内气体压力应比一个大气压稍高些，可通过气体流速来控制。; 水汽氧化：在高温下，硅与高纯水产生的蒸气反应生成SiO2。 产生的H2分子沿Si-SiO2界面或者以扩散方式通过SiO2层散离。; 湿氧氧化的氧化剂是通过高纯水的氧气携带一定水蒸气，高纯水一般被加热到95℃左右，所以湿氧氧化的氧化剂既含有氧，又含有水汽。 ;干法氧化与湿法氧化速率比较; 另外也可以用惰性气体(氮气或氩气)携带水汽进行氧化，在这种情况下的氧化完全由水汽引起的。;氢气和氧气; 在实际生产中，根据要求选择干氧氧化、水汽氧化或湿氧氧化。对于制备较厚的SiO2层来说，往往采用的是干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式。这种氧化方式既保证SiO2表面和Si-SiO2界面质量，又解决了生长效率的问题。;1、常见的热氧化设备主要有卧式和立式两种。;炉温控制：精度、稳定度、恒温区、对温度变化响应。 先进设备的温度偏差可控制在±0.5℃。 (2) 推拉舟系统：净化环境，粉尘沾污少。 (3) 气路系统： 可靠性高、控制精度高、响应速度快、密封性好。 (4) 安全性高。;4、立式氧化炉管，其类似于竖起来的卧式炉。;(1) 易实现自动化。 (2) 硅片水平放置，承载舟不会因重力而发生弯曲；热氧 化工艺均匀性比卧式炉好。 (3) 洁净度高，产尘密度小。 (4) 设备体积小，在洁净室占地少，安排灵活。 ;2.3.2 热氧化生长动力学;热氧化时，气体内部、SiO2中、Si表面处氧化剂的浓度分布情况以及相应的压力如图所示。; 采用准静态近似，即假定所有反应都立即达到稳态条件。这样变动的边界对扩散过程的影响可以忽略，上述三个流密度应该相等，则有;Ci; 通过SiO2层的流密度F2，就是扩散流密度， 其中DSiO2为氧化剂在SiO2的扩散系数，C0和Ci分别表示SiO2表面和SiO2-Si界面处的氧化剂浓度，x0为SiO2的厚度。;当氧化剂在SiO2中的扩散系数DSiO2 很小时(DSiO2 ksx0)，则得 Ci→0，C0 →C*。;2.3.3 热氧化生长速率;Ci;对于大多数的氧化情况来说，气相质量输运系数h是化学反应常数ks的103倍，因此，在线性氧化规律时，SiO2生长速率主要由表面化学反应速率常数ks决定，即为表面化学反应控制。;[例1] ：某晶体管在1200℃进行基区氧化，氧化过程为15min干氧加45min湿氧，试求所生成的氧化层厚度。;（2）设45min湿氧生成的SiO2的厚度xo2: 此时，表面已有0.093?m的SiO2,设用湿氧生成这样厚的氧化层所需的时间为τ2。;即所求的氧化层厚度为0.