19章 电力电子技术.pptVIP

哈尔滨工业大学 电工教研室 姜三勇设计制作 双向晶闸管 可关断晶闸管 工作原理 19.2.2 晶闸管的保护 晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部断炉或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。 1. 晶闸管的过流保护 (1) 快速熔断器保护 电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。 与晶闸 管串联 接在输入端 接在输出端 快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。 ~ (2) 过流继电器保护 (3) 过流截止保护 在输出端(直流输)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。 在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。 ~ R L C R (2) 硒碓保护 2. 晶闸管的过压保护 (1) 阻容保护 利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电阻中消耗掉。 硒碓保护 (硒整流片) C R R C R C 晶闸管元件 的阻容保护 19.2.3 单结晶体管触发电路 1. 单结晶体管 B2 第二基极 B1 N 欧姆接触 电阻 P 发射极E 第一基极 PN结 N型硅片 (a) 示意图 单结晶体管结构示意图及其表示符号 (b) 符号 (1)结构 B2 E B1 (2) 工作原理 ? UE ? UBB+UD = UP 时 PN结反偏，IE很小； PN结正向导通, IE迅速增加。 UE ? UP时 ? ? – 分压比(0.5~ 0.9) UP – 峰点电压 UD – PN结正向导通压降 B2 B1 UBB E UE + _ + _ RP + _ + _ 等效电路 测量单结晶体管的实验电路 由图可求得 RE RB1 RB2 A UBB E UE + _ RP + _ + _ B2 B1 RE (3) 单结晶体管的伏安特性 UV、IV(谷点电压、电流): 维持单结管导通的最小 电压、电流。 UP(峰点电压)： 单结管由截止变导通 所需发射极电压。 Ip IV o IE UE UP 峰点电压 UV 谷点电压 V 负阻区 截止区 饱和区 UEUP后，大量空穴注入基区，致使IE增加、UE反而下降，出现负阻-负阻区。 P (1) UE UP时单结管截止； UE UP时单结管导通， UE UV时恢复截止。 单结晶体管的特点 (2) 晶体管的峰点电压UP与外 加固定电压UBB及分压比? 有关，峰点电压UP或分压比?不同，则峰值电 压UP不同。 (3) 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都 比一样。谷点电压大约在2 ~ 5V之间。常选用 ?稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大输 出脉冲幅度和移相范围。 B2 E B1 2. 单结晶体管触发电路 (1) 振荡电路 单结晶体管弛张振荡电路 单结晶体管弛张 振荡电路利用单结管 的负阻特性及RC电路 的充放电特性组成频 率可调的振荡电路。 ug R2 R1 R U uC E + C + _ _ + _ 50? 100k? 300? 0. 47?F (2) 振荡过程分析 设通电前uC =0。 接通电源U, 电容C经电阻R充电。电容电压uC逐渐升高。 当uC ? UP时,单结管导通,电 容C放电,R1上得到一脉冲电压。 Up UV Up-UD uC ?t ug ?t 电容放电至 uC ? Uv时，单结管重新关断，使uO?0。 ug R2 R1 R U uC E + C + _ _ + _ 50? 100k? 300? 0. 47?F 注意：R值不能选的太小，否则单结管不能关断，电路亦不能振荡。 uC ?t ?t uO uP uV (b) 电压波形 主电路 触发电路 (3) 单结管触发的半控桥式整流电路 u1 + RL R1 R2 RP C R uZ T1 D1 D2 T2 u2 + – uC + + – R uL + ug + u + ? 1)整流削波 U2M 削 波 UZ U2M ?t O ?t ?t 整流 R u2 + – + – uO + –