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第五章 场效应管放大电路 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 2. 图解分析法 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.5 各种放大器件电路性能比较 （2）VDS0 但|VGS-VDS| | VP | ，时 ID ID (c) VDS? ID (b)| VGS- VDS | = | VP |时， 导电沟道在a点相遇，沟道 被夹断。 (a) VDS增加，d端电位高，s端电位低，导电沟道内存在电位梯度，所以耗尽层上端变宽。VDS?? ID ? VGS=0时，产生夹断时的ID 称为漏极饱和电流IDSS ? ID=IDSS基本不变。 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 (a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 1. 输出特性 表示vGS一定时，iD与vDS之间的变化关系。 (a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 2. 转移特性 表示vDS一定时，iD与vGS之间的变化关系。 当|vGS - vDS |? | vP | 时， 1. JFET小信号模型 （1）低频模型 （2）高频模型 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds ， 由输入输出回路得 则 * 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件。 场效应管： 结型 N沟道 P沟道 MOS型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。又称绝缘栅型场效应三极管 1、结构 掺杂浓度低，电阻率高 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 在VDS作用下无iD。 耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下iD。 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 N沟道 衬底 d s g 衬底 d s g 衬底 d s g 衬底 d s g 2、工作原理（以N沟道增强型为例） (1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反向，所以不存在导电沟道。 VGS =0， ID =0 VGS大于0时管子才能工作。 (2) VDS=0 , VGS VT 时: VGS 0?g吸引电子? 反型层?导电沟道 VGS? ?反型层变厚 P区表面形成反型层 把两侧的N区沟通， 形成导电沟道。 VT：开启电压 (3) VGS?VT, VDS较小时： VDS? ?ID ? (4) VGS VT, VDS增大到 VGS —VDS VT 时: 靠近漏极的沟道被夹断， 形成夹断区。 VDS? ?ID 不变 3. 特性曲线 输出特性 时: 截止区： 可变电阻区： 本征导电因子 输出特性曲线 输出特性 饱和区（放大区、恒流区） 时的 值. : 输出特性 转移特性 转移特性曲线 N沟道耗尽型：栅极绝缘层中掺有大量的正离子. 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET VGS为正值和负值时都可以正常工作. 与N沟道类似 耗尽型 增强型 衬底 d s g 衬底 d s g 饱和区域内，漏极电流实际还和沟道长度有关 HW. P.249 5.1.1, 5.1.4 5.1.5 场效应管的参数 (1) 开启电压VT （增强） (2) 夹断电压VP （耗尽） (3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发 生预夹断时的漏极电流。（耗尽） (4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1~1pF，栅 源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。 (5) 低频跨导 gm ： (6) 最大漏极电流 IDM (8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS (7) 最大漏极耗散功率 PDM 各类场效应管总结 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道