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5半导体异质结演示文稿
07_08_异质结 —— 半导体电子论 异 质 结 同质结 —— 由同种半导体材料构成N区或P区，形成的PN结 异质结 —— 两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块 单晶上形成的结 同型异质结 —— 结的两边导电类型相同：NN，PP 异型异质结 —— 结的两边导电类型不相同：NP，PN 两种材料未构成异质PN结之前的能级图 两种半导体材料构成异质PN结之后的能级图 异质PN结界面处导带底和价带顶不连续 —— 差值 —— 两种材料的费密能级不同，电子从高费密能级材料流向低费密能级材料，形成PN结势垒 —— 形成异质结时，能带在界面处间断，在势垒的一侧出现尖峰，另一侧出现峡谷 异质结的“注入比” P区的电子电流密度 N区的空穴电流密度 PN结注入比 热平衡条件 异型同质PN结注入比 ND和NA —— N区和P区掺杂浓度 —— 如果N型区的带隙宽度大于P型区带隙宽度，即使两边 掺杂浓度差不多时，可以获得很高的注入比 —— 异质结的注入比决定晶体管的电流放大系数、激光器 的注入效率和阈值电流 异型异质PN结 异质PN结注入比 光生伏特效应 —— 太阳能电池 —— 利用扩散掺杂，在P型半导体的表面形成一个薄的N型层 —— 光照射下，在PN结及附近产生大量的电子和空穴对 —— PN结的自建电场 －强电场区域 —— PN结附近一个扩散长度内，电子－空穴对还没有复合 就有可能通过扩散达到PN结的强电场区域
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