径向三重流MOCVD反应器壁面温度的数值模拟.pdf

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 径向三重流反应器壁面温度的数值模拟 聂宇宏 刘 勇 姚寿广 江苏科技大学机械与动力工程学院镇江 摘要将研究辐射换热问题的区域法引入壁面间的辐射换热计算建立了 壁面温度的计算模型应用该 模型计算了径向三重流 反应器的壁面温度分布 结果表明在反应器的不同部位壁面温度分布的规律有 所不同 当径向三重流 反应器处于自然对流的环境时壁面的最大温差可达 如此大的温差将会对 反应器内的气体流动和沉积过程产生影响为了使反应器的温度保持在较为恒定的低温外壁面的强制对流换热 系数应大于 关键词数值模拟区域法壁面温度 中图分类号 文献标识码 文章编号 型并计算了径向三重流 反应器的壁面温 引言 度分布为进一步准确地模拟 反应器内的 温度流动浓度等的分布提供依据 金属有机化学气相沉积 技术在制造 壁面温度计算模型 高纯度薄膜方面得到广泛应用如半导体器件太阳 能电池等 因 反应器内反应所生成的薄膜 壁面热平衡方程 的特性 均匀性厚度沉 积 材 料 的组 成受 反应器内反应气体复杂传输现象的强烈 反应器中的气体是较稀薄的此时气 影响 反应器内状态参数的空间分布如 体对热辐射的吸收以及自身发射的辐射可以忽略 温度场浓度场和流场直接影响薄膜生长速度和形 在不考虑介质参与辐射的 反应器内气体 貌特别是其内的温度分布对确定气体流动和化学 稀薄流速较慢与气体传导和对流换热相比壁面