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扩散例题图
扩散例题讲解 西南科技大学理学院 2013.3.24 硼的预淀积 这一步骤是在高温扩散炉中进行的，预淀积时硅片表面存在过量的扩散杂质。在这种条件下，硅片表面的杂质浓度相当于预淀积温度下杂质的固溶度。这时就有一层均匀的固定数量的杂质进入晶格中。 预淀积过程中掺入杂质的分布可以用下式表示： －预淀积温度下杂质在硅中的固溶度， X －距硅片表面的距离（um）。 －硅片内深度为x的杂质浓度（原/cm3）。 －预淀积温度下杂质的扩散系数 －硅片在预淀积炉内的时间（h）。 杂质总量Q的计算 在预淀积过程中掺入的杂质 在预淀积过程中掺入的杂质总量Q可用下式表示 结深的求解方法 在 ＝ 处，预淀积杂质分布区和导电类型相反的衬底间形成了结。结深可用下面的方法求得： （1）计算 （2）用图DIF2余误差函数曲线，求出相应 的值，并计算。 再扩散后的表面杂质浓度 最终结深和杂质分布由再扩散来实现，即预淀积后硅片表面上的多余杂质被腐蚀掉之后，在高温扩散炉中进行再扩散。 再扩散后的表面杂质浓度 用以下公式计算 几个相关曲线图 DIF1图 杂质在硅中的固溶度 DIF2 替位式扩散系数 图DIF3 余误差函数 DIF6高斯函数分布 over * * * *
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