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晶体表面 关键词：表面结构 弛豫 重构 再构 吸附 偏析 表面能 比表面能 摘 要：晶体表面原子的排列规律不同于体内，在表面会发生再构、重构等现象。本文主要介绍晶体表面的结构和一些现象，以及比表面能的计算。 一 晶体表面原子的排列规律 晶体总是存在着表面垂直于晶体表面的方向为Z 轴，X 和Y 轴在晶体表面上。晶体在Z 轴方向上的周期性被破坏，而在XY 平面内仍然保持着周期性。用二维布喇菲格子来表征晶体表面的空间周期性。 晶体表面上物理量具有二维空间周期性，同样可以用二维倒格子空间来表示。二维倒格子与二维布喇菲格子的关系满足 定义垂直于表面的单位矢量 二维倒格矢 所有倒格点的集合构成 二 表面结构 1.表面弛豫： 指表面层晶体结构不变，但点阵常数有差异（法向弛豫） dSd0, 膨胀；dSd0, 压缩 2. 表面重构： 表面层和内部晶体结构不同，主要为超结构，晶胞的基矢呈整数倍扩大 3. 离子晶体表面双电层： 在离子晶体表面上，作用力较大、极化率小的正离子处于稳定的晶格位置。为降低表面能，各离子周围的交互作用将尽量趋于对称，因而M+离子在周围质点作用下向晶体内靠拢，而易极化的X－离子受诱导极化偶极子的排斥而被推向外侧形成表面双电层。 4.表面再构 表面相的基矢可能和体内同一晶面簇中基矢存在差异，这种现象称为表面再构。 表面再构典型例子 两族基矢不再平行但夹角不变，相当于旋转了一定角度 Si(111)7×7 ? —— 硅（111）表面原子排列的周期 为体内相应平面的7 倍。 不同的方法可以获得不同的再构表面，表面的再构现象与表面原子的驰豫、原子的吸附有关，通常可由低能电子衍射（LEED， Low Energy Electron Diffraction）获得表面再构的几何规律。 三、表面吸附与偏析 吸附：异相原子或分子附着在固体表面上的现象 偏析：固溶体中的溶质原子富集在表面层 表面发生吸附的物理原因 表面形成偶电层--部分电子解脱束缚逸出到表面形成薄的电子云（负价），与相邻层（正价）构成偶电层 四、表面能与晶体的平衡外形 1,表面能：增加单位表面所需做的可逆功，单位J·m-2。 表面张力：产生单位长度新表面所需的力，单位N·m-1。 比表面能: 增加单位表面积导致的自由能的增量，γ=ΔG/A=(ΔE-TΔS)/A 2.比表面能的计算: 比表面能的增量可表示为：γ=（ΔE?TΔS）/A 0K时T△S为零，故可根据材料的摩尔升华热Ls来估算0K时的比表面能γ。采用简单的键合模型（只考虑最近邻的作用），设每对原子键能为ε，晶体的配位数为z，阿伏加德罗数为NA，则：Ls=Naz(ε/2) 要产生两个表面，需要断开其上的原子键。设形成一个表面原子所需断开的键数为zo，原子间距为a，则有：a*aγo=Zo (ε/2) 因摩尔体积Vm= NA a3，则根据上两式得出：Ls= α1γ0Vm2-3 α1=(Z/Zo)Na1-3 高熔点金属具有较高的升华热，因此具有高的比表面能。 对于简单立方晶体（100）面，z／zo=6／1 ；对于面心立方结构的（111）面，z／zo=12／3 。对某一晶体来说，zo越大的表面，越具有较高的比表面能。 在较高温度时要考虑表面熵，因熵值为正，故表面吉布斯自由能低于表面内能，即γ〈ΔE/A 学院:理学院 姓名:洪青龙 班级:A0841 学号：10808090111