材料表面和界面化学状态的俄歇化学效应研究.pdf

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材料表面和界面化学状态的俄歇化学效应研究

维普资讯 /,『 材料表面和界面化学状态的俄歇化学效应研究 清华大学化学系 朱永法 曹立礼√姚文清 0 P 本文运用俄驮化学效应研究了三种纳米薄膜材料的表面,膜层及界面元素的化学状态。研究结果表明用 作可燃气体传感器的氧化锡气敏薄膜在离子注 Sb层 中 SbSnO,物种存在t在无 sb层中则 以SnOx(x1)形 式存在。高能离子注入的金属 Sb也以SoSnOx物种存在。具有太阳能选择性 吸收功能 的氯化铝薄膜则 以 AINq 物相存在 。而 APCVD法制备的氯化硅薄膜热氧化不稳定的本质则是由于成膜过程中在膜层中包埋了 活性较强的自由硅 ,缓 目由Si容易和热处理气氛中的残余氧反应 ,从而促进了SIsN,薄膜层的氧化。 关■调 :俄驮 电子能谱 ,化学效应 ,表面和 界面t化学状态 绷。稽。SfIIi}椭 , / udjoftheChemicalStatesonSurfaceandInterfaceofMaterials Studied by AugerChemicalEffects ZhuYongfa CaoLili YaoW enqing 正 (TsinghuaUniversity,Beijing) chemicalstates ofsurface and interface ofthree film materials have bee11 studied using Auget chemicaleffects.Theresultsshow thattheSbwhich w∞ implna ted by high energy ionsreactde with SnOx andformde So-Sn species .The Valence electronofSb 5p orbitimmigrattde nitoSn 5srobitnadtheelec- troniccnoducttvity oftin oxidefilm increased. Theselectiveabsol’ption fiml ofsun ushti自composedof AlN o,species .Theexistence offree Siin SiaN4fiml can niduce the oxidatino ofSiaN4film .TheAuger che mi caleffects alevery usefulfro thestudy ofchemicalstates no the surface na d interface ofmatreials. Keywrods: AES ,che mi caleffect, surfaceand niterface , chemicalstate 1 前 言 得 了较好的结果 。 固体物质化学状态研究的常用方法是 XPS,但是 由 2 样品制备和实验方法 于 XPS的结合能随化学环境 的变化较小 ,并且有些元 素的XPS的化学位移很小,因此大大限制了XPS的应 氧化锡气敏薄膜是在 10 /At气氨中通过射频 用范围。此外 ,XPS的束斑面积很大,难以进行材料的

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