AAS原子光谱之波长大部分在UV范围.pptVIP

樣品熱處理 1. flame：5 mL/min 10 L/min (gas) εm 4 μL/sec (5%en, 多數為廢液) 100 L/min = 1.6 L/sec (到燃燒頭) Expand 10倍 樣品 5 mL/min 4 μL sample/1.6L gas = 2.5*10-6 2. Furnace (石墨爐中) 5 mL/2 mL = 2.5*10-3 石墨爐體積 石墨爐稀釋效應 相差1000倍 Atom density 1000 (在atom density是火焰的100倍) Molecular density 1000 (在分子 density是火焰的100倍) ∴matrix effect 特別嚴重 How to reduce or eliminate the matrix effect for furnace AAS is the most important task for accurate determination of real samples. 石墨爐原子吸收光譜之加熱程序分五個階段 150 5 1 20 cooling 5.冷卻 150 4 1 2600 (石墨爐最高溫度) Clearing 4.清洗 0 (保持不動,在此為2 mL) 5 0 (最快的加溫速度) ~1900 Atomization 3.原子化 150 於此把不該有的燒掉 (以免在原子化產生冒煙而影響光譜) 35 10 ~550 Ashing 2.灰化 150 45 10 150 Drying 1.乾燥 Gas flow (mL/min) Hold time (sec) Ramp time (sec) T (℃) Temp. program 在灰化及原子化的溫度是最重要的 100 80 60 40 相對吸收值 (%) 設為灰化溫度 固定原子化溫度,改變灰化溫度,找到下降前最高點 固定灰化溫度,改變原子化溫度 設為原子化溫度 灰化溫度 原子化溫度 std Au3+ (Au)n 奈米 乃為最佳操作條件 t (℃) t (℃) 0.50.40.30.20.10 1500 2000 2400 2700 Absorbance 慢慢升溫 很快加溫 (即要很快加溫, ∴所有power設定0秒才能達到最佳操作條件) AA操作要 STPE ∴設定 Fast heating rate Gas stop (∵會有稀釋效應) Pyrolytically Coated platform Matrix, modifier 種類 absorbance Gas flow rate (mL/min) 高溫是氧化態存在,然石墨提供一還原環境 I0 I 孔洞太多會吸 (∴把CH4通高溫裂解) 火焰希望是還原性火燄,石墨有還原作用 (一般燃燒為氧化下方能產生高溫) 火焰希望是還原性火燄,石墨有還原作用 (一般燃燒為氧化下方能產生高溫) Atomization mechanism Reduction of solid oxide on graphite surface (可幫助產生原子狀態) ∵MO(s) + C(s) M(l) ? M(g) M(g) M = Co, Cr, Cu, Fe, Mo, Ni, Pb, Sn, V 若有很多分子,則溫度會影響其產生之效率 ∴GFAAS 2% HNO3 (∵MO要在氧化態存在才易氣化) Flame AAS HCl 配standard要保持在酸性下. ∵玻璃Si會吸附金屬,變成MX. →不會產生氫氧化物沉澱 Thermal decomposition of solid oxide MO(s) M(g) + ? O2 M = Al, Cd, Zn 石墨爐有特殊處理： 如CH4昇高溫 (pyrolytically-coated graphite) 何以要用平台 ( L’vov platform)? 平台的加熱方式與石墨爐的tube不同 透過電子加熱 (內外溫度不同) 平台 absorbance t (時間) → From wall From platform Tube temperature 平台壁溫度profile與石墨爐溫度不同 平台非靠電加熱而是靠熱傳導加熱 (∵溫度愈低愈有化學干擾) 平台提供讓sample加熱delay.當sample加熱要原子化時,石墨爐溫度已穩定下來, 則訊號會比較高,干擾較小 Volatillization from the tube wall absorbance t (時間) → Tube temperature 做實際樣品