氮化镓缓冲层生长过程分析.pdf

　第 20 卷第 7 期 半　导　体　学　报 . 20, . 7 V o l N o 　1999 年 7 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July, 1999 氮化镓缓冲层生长过程分析 刘祥林　汪连山　陆大成　王晓晖　汪　度　林兰英 ( 中国科学院半导体材料科学实验室　北京　100083) 摘要　研究了用金属有机物化学气相外延( ) 在蓝宝石上生长氮化镓( ) 缓冲层的生 M OV PE GaN ( ) 长速率随生长温度 500～ 600 ℃ 的变化关系. 用原位激光反射厚度测量方法, 发现生长温度、三 甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响. 提出了生长过 程的微观模型, 解释了M OV PE 生长 GaN 缓冲层过程中观察到的现象. : 6845, 8115 , 8230, 8265 PACC H 1　引言 氮化镓( ) 以及相关合金( ) 是非常有用的发射波长在蓝绿光区至近紫外区 GaN A lGa InN 的光电材料. 早期研究不易获得高纯材料和 P 型材料. 前些年人们用金属有机物气相外延 ( ) ( ) [ 1, 2 ] 方法, 在蓝宝石 上采用缓冲层技术, 材料质量得到了极大的改善 . M OV PE A l2O 3 P [ 3 ] [ 4 ] N 结型高亮度发光二极管 和激光二极管 已经实现. 缓冲层的生长工艺在其中起了决定 性的作用. 由于缓冲层的生长温度一般在500～ 600 ℃之间, 这正好是三甲基镓(TM Ga) 开 [ 5, 6 ] ( ) 始化学分解到完全分解的温度范围 . 另外, TM Ga 和氨气 N H 3 是典型的L ew is 酸和 [ 7 ] ( ) L ew is 碱, 即使在常温下也极易发生寄生反应 , 形成加合物 ∶ . 寄生反应消耗 TM Ga N H 3 [ 8 ] 气相中的源, 降低了外延层厚度均匀性及生长效率 . 所有这些都增加了对缓冲