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电子学II第09回随堂讲义(学用本).doc.doc

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电子学II第09回随堂讲义(学用本).doc

第9回  11-2~11-5 第1部分 重點整理 1. 施密特觸發電路,又稱 波形整型 電路,各種非方波(類比)輸入,則Vo保證方波輸出(數位)。 (1) 正 回授稱為施密特。 (2)施密特電路功用為類比轉 數位 。 2. 反相施密特 (1) VUT= β(+VCC) ,VLT= β(-VCC)  (2) Vi>VUT Vo=-VCC Vi<VLT Vo=+VCC (3) 磁滯範圍= VUT-VLT  (4) 為一 雙穩態 電路,有 記憶 功能 (5) 輸出不改變狀態且Vo=+VCC或Vo=-VCC (6) 當VLT<Vi<VUT,則Vo為 一直線 非方波 (7) β=正回授量= 一直線    3. 非反相施密特 (1) VUT= β(+VCC) ,VLT= β(-VCC)  (2) Vi>VUT Vo=+VCC   Vi<VLT Vo=-VCC (3) 磁滯範圍= VUT-VLT  (4) 為一雙穩態電路,有記憶功能。 (5) 輸出不改變狀態且Vo=+VCC或Vo=-VCC。 (6) 當VLT<Vi<VUT則Vo為 一直線 非方波。 (7) β= 一直   4. 移動式施密特電路 使用 重疊 定理或  密爾門 定理。 (1) VR>0→往 右 移。 (2) VR<0→往 左 移。 (3) VR=0→左右對稱。 (4) 磁滯範圍= VUT-VLT ,不受改變。 (5) VUT= 一直線        VLT= 一直線     5. NE555 (1) 555內含( 上比較器 (第6腳 ≥ VCC放電,且Vo=0低電位)      ( 下比較器 (第2腳 ≤ VCC充電,且Vo=1高電位)      ( 正反器       ( 放電電晶體       ( 輸出緩衝buffer  (2) NE555,可組成 無穩態 方波產生器或 單穩態 多諧觸發電路,及  施密特 電路。 (3) 不對稱無穩態 ( 電容上為鋸齒波最高VUT=VCC, 最低VLT=VCC ( Vo為方波 ( 週期T=0.69(R1+R2)C+0.69R2C      =0.69(R1+2R2)C ( 工作週期D%==()×100% (4) 對稱式方波無穩態 ( 週期T=t充+t放=0.69R1C+0.69R2C  = 1.4RC  ( 工作週期D%== = 一直線  當R1=R2→D%= 一直= 50%  (5) 單穩態NE555 Vo為方波 其中TW= 1.1RC  (6) 施密特觸發 將 2、6 腳接Vi ( 當Vi>VCC,則Vo= 0  ( 當Vi<VCC,則Vo= 1  ( 將輸入波形整型為 方波 輸出 6. 方波產生器 屬於 無穩 態多諧振盪器之一種。 (2) 振盪週期:T= β(+VCC)  = β(+VCC)  (3) 電容上為 三角波 ,VUT= β(+VCC) ,VLT= β(-VCC) ,其中 β= ±VCC VCC β(+VCC)=(+VCC)     VLT=β(-VCC)=(-VCC) (3) 週期T= 4βRC βRC β 9. 無穩態多諧振盪器 (1) 飽和條件 RB1 ≤  β1RC1 ≤  β2RC2    且 C1        (1) 單穩態又稱 單擊 器(只有一種穩定狀態)觸發一次,經過一段時間,又恢復原狀( 無記憶 功能)。 (2) 脈波寬度Tw= 0.69RB1C1 。 (3) 右邊先ON,且RC組成 微分 電路。 (4) 輸出週期與觸發信號週期 相同 ,即輸出頻率等於觸發信號頻率,即To=Ti且fo= fi  器 。 (2) 具有 記憶 功能,需觸發 二 次 才能恢復原狀。 (3) C1、C2又稱為 加速 電容。 12. 多諧振盪器可分為無穩態、單穩態、雙穩態電路,其比較表如下: 名稱 交連方式 電路特性 用途 雙穩態 多諧電路 (1) 有兩個穩定狀態,觸發一次→轉態一次,再觸發→又轉態回來。 不觸發,即保持最後一次的ON、OFF,一直保持下去,而正是記憶的功能。 記憶體,即正反器。 具有頻率除2功能。 可加〝加速電容〞(數pF左右) 無穩態 多諧電路 (1) 沒有穩定狀態持續,而是利用主動元件熱不平衡的原理一直自己交換轉態。 唯一不需要觸發信號,而可以自激產生振盪。 方波產生器。 T= =0.693   + ≒1.4RC 單穩態 多諧電路 一電阻 一電容 沒有觸發時,有一穩定狀態且持續。 若觸發,立即發生轉態,但若干時間後,又自動回復到穩態,且持續。 除非再觸發,否則就保持唯一的穩態。 波形修正(整型) 延時電路 T=0.693 且=*    圖(1) 圖(2) 圖(3) *( D ) 2. 如圖(2)所示,設Vi=1V,則其輸出電壓

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