第三章真空技术基础与等离子体课件.ppt

《表面工程理论与技术》讲义－张国君 第3章 真空技术基础与等离子体 第3章(1) 真空技术基础Elements of vacuum technology 真空的定义 真空：密闭容器内低于一个大气压的空间（1.01×105Pa） 绝对真空永远无法达到 气体状态方程： P = n k T 体积分子数：n=7.2×1022P / T 20?C时，若 P=1.33 × 10-4 Pa 则n=3.2 ×1010 个/cm3 真空的表示：真空度——气体的压强 (Pa) 平均自由程：气体分子之间相邻两次碰撞的平均距离 真空在气相沉积中的作用： 防止氧化、污染；减少蒸发原子与残余气体分子的碰撞，抑制它们之间的反应；绝热保温 碰撞分子百分数： 真空的获得 产生真空的过程——抽气；工具——真空泵 单位时间抽出的气体体积——抽气速率 真空泵工作足够时间后所达到的最低气压 ——极限真空 不同类型的真空泵有特定的工作范围，通常需要两级联合才能达到高真空以上。从大气开始的叫“前级泵”，从低气压开始工作的叫“次级泵”。 旋片式机械真空泵（机械泵） 旋片式机械真空泵（机械泵） 油扩散泵（扩散泵） 涡轮分子泵（分子泵） 低温吸附泵（低温泵） 几种常用真空泵的工作气压范围 真空的测量 测量真空的工具——真空计和真空规管 直接法：绝对真空计，准确但不适合高真空 间接法：相绝对真空计，测量与压强有关的物理量，与绝对真空计比较后获得。准确度略差，和所测气体种类有关 热偶真空计 电离真空计 真空室内清洗 加热 脱吸附 离子轰击 溅射 离子渗 离子注入 非平衡过程，高固溶度 低热过程 无变形，不改变精度 无界面 能量和剂量可控性好 高真空，无污染 对材料无限制 蒸发镀膜（蒸镀） 溅射沉积 离子镀 弧镀的局限性 金属颗粒的减少和离化率、容积矛盾。 需要用合金靶，不同元素有不同溅射率，不同部位溅射材料量不同。 溅射清洗和薄膜沉积过程难以控制。 离子束增强沉积（IBED） 化学气相沉积（CVD） 平衡和非平衡磁控溅射的比较 非平衡技术提高轰击工件的离子电流 Mag 4 Ti Mag 1 Mag 2 Ti Mag 3 Ti target N polar S polar 1 fold 3 fold 柱状晶 致密等轴晶 离子镀：镀膜的同时用载能离子轰击基体和镀层表面的技术在蒸发或溅射沉积基础上而不是独立的沉积方式 阴极电弧等离子体沉积 靶材料在真空电弧作用下蒸发。 电弧点仅数微米，时间仅几纳秒，温度极高，材料几乎百分之百离化。 离子垂直向外发射，微颗粒以一定角度射出。 一些离子被阴极吸引，打回到阴极，使电弧持续进行。 电弧电压为15－50V，电流可达到数百。 金属表面产生电弧时，金属在电弧的高温中气化，喷出金属蒸汽。此蒸汽中金属分子在等离子体中离化成金属离子。同时还产生一定量不同大小的液滴。 液滴形态及不同的粒子角分布 离子垂直向外发射， 微颗粒以一定角度射出 用屏蔽法减少颗粒 百叶窗式遮板 工件前简单挡板 在输出通道中进行 重力和磁过滤 S型和弯曲型过滤器 离子轰击过程对IBED 膜基结合强度的影响 离子轰击能量对界面宽度的影响 优点： (1) 沉积与离子轰击相对独立，便于控制镀层成分及组织； (2) 沉积温度低，可避免温度对材料及尺寸的影响。 (3) 膜基间为连续界面，对所有基材均有较好的结合强度。 (4) 可与高真空相容，污染少，有利于提高镀层质量； 不足： (1)离子束直射性； (2)离子源尺寸限制，生产效率很低； (3) 镀膜速度慢，成本较高。 注入剂量低时，浓度分布满足高斯分布 注入剂量高时，峰值向表面移动 能量损失 金属原子 Ar离子 电子 Ar离子轰击负电 位的金属表面 影响溅射率S的主要因素 入射离子种类：大质量、稀有气体S高 入射离子能量：阈值、注入 入射离子角度：40－50o 靶材种类：周期变化，d层充满，溅射率大 工作气压：气压低，S不变，气压高，S随之减小 表面温度：一定温度内不变，温度过高，急剧增大 氩离子对不同元素的溅射产额 磁控溅射 等离子体 磁道 靶 冷却水 磁体 磁控溅射靶 等离子体温度和气压的关系 等离子体类型与P/E的依赖关系 p—气压 E—电场强度 各种等离子体的电子密度、电子温度和气体温度 非平衡等离子体与平衡等离子体的比较 弧光放电 辉光放电 典型放电形式 较高 较低 气相沉积温度 0.1MPa 13300Pa 放电气体压力 1014/cm-3 约1012cm-3 等离子体密度 Te?Ti ?Tg104 K 整体温度高 Te(约104K)Ti(约103 K)Tg(约103 K) 整体温度低 粒子温度 平衡等离子体