记忆体模组.ppt

記憶體 記憶體的分類 依裝置特性分 主記憶體Main Memory(初級記憶體,Primary memory)。通指電子元件的記憶體模組，包含RAM與ROM，以及早期的磁蕊(毀讀式記憶體)、 磁線、磁泡等記憶體。 輔助記憶體Auxiliary memory(或稱次級記憶體Secondary Memory或外部記憶體)。通指具有機械裝置的資料儲存元件，包含磁帶、磁碟、光碟、磁鼓機等。 虛擬記憶體Virtual Memory。或是利用裝置驅動程式，把輔助記憶體模擬為主記憶體，作為主記憶體容量不足以執行程式時 ，作業系統將部分主記憶體內暫時不使用的程式模組，交換到磁碟機，以便換取更多的主記憶體空間，以便執行程式。利用「控制台\系統\進階\虛擬記憶體」可以設定虛擬記憶體的量，一般是以實體記憶體*1.5倍，作為虛擬記憶體的配置量。 依電容特性分 揮發性記憶體模組，特性為電力消失內部資料亦會消失，分為DRAM(Dynamic RAM，動態記憶體)與SRAM(Static RAM，靜態記憶體)，DRAM需靠不斷的充電(Refresh)動作來保存資料，為一般市售的記憶體主要來源；SRAM不需靠重複充電即可保存資料，速度亦較DRAM為快，用於主機板上Cache(快取記憶體)或顯示卡上的記憶體。 非揮發性記憶體模組 ，特性為即使電力消失內部儲存資料仍會保留不受影響，如ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)與Flash ROM(快閃記憶體)。 各種記憶體資料存取速度比較 速度 Register Cache SRAMDRAM ROM Hard Disk CDFloppyTape 決定因素 處理單元的架構 處理單元的速度 主記憶體的因素 週邊設備的配置 隨機存取記憶體RAM 此類記憶體的資料，可以寫入暫存，但是必須透過一定間隔時間，對該記憶體充電refresh，以便保持資料的完整性。但當外部電源關閉，則其內所記憶的資料隨即消失，為揮發性記憶體。 記憶體的存取時間單位乃是以奈秒ns 為主。主要分為SRAM靜態記憶體(Static Ram)與DRAM動態記憶體(Dynamic Ram) 。 SRAM與DRAM的比較 唯讀記憶體ROM MASK ROM內部資料在出廠前已經寫入記憶體中。 PROM出廠時記憶體內部無資料，使用者可以自行將資料寫入，但僅寫入此次。 EPROM資料可以利用紫外線抹去重寫，通常外部會有一小透明窗口。 EEPROM資料利用較高電流與電壓抹去重寫，與Flash Memory的工作原理相同。 Flash Memory快閃記憶體，又稱Flash ROM，資料可讀寫，電源消失資料仍留存，並且價格較便宜且位元密度較高。具有RAM與ROM的優點，可應用為數位相機的記憶卡片等用途。一般出廠時便已設定該記憶體的可讀寫次數。 唯讀記憶體ROM Firmware韌體，將軟體程式燒錄在硬體積體電路中，使硬體本身具有程式功能指揮電腦作業亦稱：「微程式規劃(Micro-programming)」技術。 CMOS （Complement MOS）互補式金屬氧化物半導體：具有低功率特性，常用於耗電低的電路中，CMOS也可分為金屬閘CMOS與矽閘CMOS。專門存放BIOS對電腦的一些設定數值，就像提供BIOS一個超級備忘錄一樣。通常存放電腦系統硬體的相關設定。 RAM與ROM的比較 快取記憶體Cache 主要目的在加快資料讀取與寫入的效率，改善CPU存取主記憶體的速度。區分為內部快取記憶體（包含於cpu內部，稱為Level 1 Cache，或L1）與外部快取記憶體（稱為Level 2 Cache，或L2）。 快取記憶體除了裝置在中央處理器外，同時也裝置在周邊設備（例如硬碟），以便提升周邊裝置與主機板匯流排的資料傳輸速度。 快閃記憶體Flash Memory Flash Memory 就像是 RAM 與硬碟的結合體，可快速讀取，另外也擁有類似硬碟的功能，即使電源被關掉，資料仍然能被儲存在記憶體中，並不需要靠不斷充電來維持其中的資料。但 Flash Memory 的寫入速度較慢，資料的更新必須以 blocks 為單位加以覆蓋， Block 的大小從 256Kb 到 20MB 不等。 Flash Memory 由於體積小、省電、高速、耐久性及低電壓之特性，儼然已經成為資訊家電 (IA) 產品最重要的一部份，如數位相機、行動電話、印表機、掌上型電腦、呼叫器及音響錄音設備等。 記憶體模組 記憶體模組是市面上一片片焊有記憶體晶片（chips）的印刷電路板（PCB，Printed Circuit Board），這種已經焊好的成品便稱為「記憶體模組」。 這些記憶體晶片通常是DRAM晶片，在整合成記憶體模組後，便安裝在電腦主機板上的專用插槽