第九章回复再结晶与热加工1-2016课件.ppt

* 边数大于6的晶粒，晶界向内凹进，逐渐长大，当晶粒的边数为6时，处于稳定状态。 不同边数的晶粒中曲率半径的变化 晶界外凸，生长时界面内缩，甚至消失 稳定界面 晶界凹进，生长时界面平直化，逐渐长大 （1）温度 晶界的迁移是热激活过程，晶粒的长大速度正比于e-Q/RT (Q为晶界迁移的激活能)，温度越高晶粒长大速度越快，晶粒越粗大 一定温度下，晶粒长到极限尺寸后就不再长大，但提高温度后晶粒将继续长大 * 晶粒长大是通过晶界迁移实现的，所以影响晶界迁移的因素都会影响晶粒长大 （2）杂质与合金元素 杂质及合金元素阻碍晶界运动，特别是晶界偏聚显著的元素 一般认为杂质原子被吸附在晶界可使晶界能下降，从而降低了界面移动的驱动力，使晶界不易移动 当温度很高时，晶界偏聚可能消失，其阻碍作用减弱甚至消失 * （3）第二相质点 弥散分布的第二相粒子阻碍晶界的移动，使晶粒长大受到抑制 当晶界移动驱动力等于分散相粒子对晶界移动所施的约束力时-----极限的晶粒平均直径Dlim(正常晶粒长大停止时晶粒的平均直径) Dlim=4r/3f (9-18) 式中r为分散相粒子半径，f为分散相粒子的体积分数 由公式（9-18）可知，第二相粒子越细小，数量越多，阻碍晶粒长大能力越强 * （4）相邻晶粒的位向差 晶界的界面能与相邻晶粒的位向差有关。 小角度晶界界面能低，故界面移动的驱动力小，晶界移 动速度低 大角度晶界的迁移率总是大于小角度晶界的迁移率 * 晶界能与晶界间位向差θ角关系 * 第二相颗粒与迁移中的晶界的交互作用 F，σ的分量 设第二相颗粒为球形，对晶界的阻力为F，与驱动力平衡 第二相颗粒单位面积对晶界的阻力F F=σ×2πrcosφsinβ =2πrσcosφcos（α-φ） (1) α角只取决于第二相颗粒与晶粒间的表面张力，可看作恒定值 * 将（1）式(F=2πrσcosφcos（α-φ）)对φ求极大值，令dF/dφ=0 ，可得： Fmax=πrσ（1+cosα） （2） 假设在单位面积的晶界面上有NS个第二相颗粒，其半径都为r，则总阻力 F总=NSπrσ（1+cosα） （3） 设单位体积中有NV个质点，其体积分数为f，则 f=（4π/3）r3NV /1=（4π/3）r3NV 故NV=3f/（4πr3） （4） * 取单位晶界面积两侧厚度皆为r的正方体，所有中心位于这个1×1×2r体积内半径为r的第二相颗粒，都将与这部分晶界交截，单位面积晶界将与1×1×2r×NV个晶粒交截 ∴ NS = 2rNV （5） * 将（4）（ NV=3f/（4πr3） ）、（5）（ NS = 2rNV ）式代入（3）（ F总=NSπrσ（1+cosα） ）式，有 F总=[3fσ（1+cosα）]/ （2r ） （6） 这个总阻力与晶界驱动力2σ/R平衡 ∴ 2σ/R = [3fσ（1+cosα）]/（2r） 整理得R=（4r/3f）（1+1/cosα ） （7） α可看作常数，令K= 1+1/cosα （8） ∴ R=Kr/f * 再结晶完成后继续加热至高温，或保温更长时间，少数晶粒优先长大成特别粗大的晶粒,周围较细的晶粒则逐渐被吞食掉，整个组织由少数比再结晶后晶粒要大几十倍甚至几百倍的特大晶粒组成，这种晶粒的反常长大现象，称为“二次再结晶” 不存在重新形核过程，在一次再结晶晶粒长大过程中某些局部区域的晶粒优先长大 驱动力：同正常晶粒长大，是长大前后的界面能差 * 发生反常晶粒长大的条件是正常晶粒长大过程被分散相粒子、织构等强烈阻碍，使能够长大的晶粒数目较少，晶粒大小相差悬殊. 晶粒尺寸相差越大、大晶粒吞并小晶粒的条件越有利，大晶粒的长大速度也会越来越快，最后形成晶粒大小极不均匀的组织 * * （3）第二相粒子 第二相可能促进，也可能阻碍再结晶，主要取决于基体上第二相粒子的大小及其分布 弥散度大的第二相粒子能提高再结晶温度，弥散度愈大效果愈好 如果第二相数量不多而且弥散度不大时，有可能使再结晶温度降低 * * 合 金 λ（μm） d 对再结晶的影响 Cu+B4C 5 2μm 促进 Cu+Al2O3 2.5 300? 阻碍 Cu+Co+SiO2 0.5-1.0μm 800? 阻碍 设粒子间距为λ ，粒子直径为d： λ≥1μm，d≥0.3μm 第二