硅片边界悬伸法研磨和抛光术的研究.pdfVIP

《机械设计与制造》 o 2000 № 5 Machinery Design ＆ M札uf8ctL畔 文章编号 ” … ∞m 硅 片 边 界 悬 伸 法 研 磨 和 抛 光 术 的研 究 王 军 孙 军(沈阳建筑T程学院．沈阳 110015) — — (东北大学，沈阳 110006) r} ≯ 摘【要】基于弹性力学的接触理论，研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力扬分布形态，提出了$ ． 通过改变压头变形板的悬仲长度和厚度改变接触区域的压强分布的新技术，从而实现了均衡压力场；了t~i2- 研磨和抛光，利用该技术可使半导体晶片在抛光过程中获得均匀一致的材料去除，并且在给定的实} 验蒂件下使平面度达025--0-33m 76mm，表面粗糙度 R＆值分布不大于5％。 中图分类号：TG 文献标识码：A { 研熙 目前平面超精密抛光是高精密激光反射镜和超大规模集 们对圆压头边界制出适当长度的悬伸变形板(如图1．自)，将 成电路半导体晶片超光滑表面的唯一加工方式。在实际应用 改变接触变形形态从而达到均衡压强分布。因此 ．利用此加载 中．特别是在大批量生产中，人们会发现在抛光过程中．半导体 方式可以实现均衡压强分布条件下的抛光。 晶片在获得超光滑表面的同时．其平面度下降，相应的生产率 在 晶片护环抛光过程 中 硅片的接触 区域的压强沿半径方 也较低～在实际使用过程中，这将影响茁片的集成度和质量， 向增加 ，且在最大半径处理论上具有畸异性 从板带接触理论 而且随着科学技术 的发展，半导体 晶片 的尺寸将 由目前的 出发，边界臂悬深长度将直接影响工件与研磨盘接触压强分布， ~200wmz，在 2005--2007年增加到 ／300～400mrn．相应 的平面 改变变形板悬伸长度和厚度可 以获得更均匀一致的压力场 、 度也蒋 由目前的05～2 m，增加到 0l～05ran。因此如何 解决半导体晶片在批量生产中所存在的上述问题就成了超精 2 实验与结果分析 密加工领域的热点问题 。 2．1 实验条件及装置 作者在前期工作中．已经确定了抛光过程 中导致平面度下 本实验是在 JY一01型行星式研抛机上采用单面研磨抛光 跻的重要原因之 是工件与抛光盘接触过程 中压力场分布不 方式进行的。抛光盘尺寸为 祀53× l呻，转速为 =10～70# 均衡 因此，我们采用边界悬伸方式来研究如何均衡压力场， vrdn，抛光垫为软木和聚胺脂合成垫 ，厚度为 2．5nma．悬仲板直径 从而达到均衡抛光，获得高平面度的半导体晶片。 均为~80mm。抛光过程中使用浓度为20 Ⅲ 的Ba【 溶渡作 为抛光剂，PH=ll～ll5，供液量为 15rrd／n，工件为 ,k76 0 1 基本理论问题 5roan的单晶硅片：在抛光前使用w5磨料研磨到平面度025～ 基于preston抛光方程[1．2]．在给定的抛光周期内．硅片 033vm／~76mm，表面粗糙度达到 Ra：008～0l邮 ：在实验 表面各区域的材料去除量取决于抛光点的压强大小和相应 的 中使用光学平晶和电动轮廓仪分别测量平面度和表面粗糙度 摩擦长篷，因此 ．硅片表面摩擦长度的分布状态和压强的分布 如图2所示。在粘垫处开出宽5ram槽，使得硅片粘结的基背出 状态击定了工作表面材料击陈的状态 。而研究表 明硅片抛光 现边缘悬伟状态，因此，决定在于悬臂的厚度和悬伸长度 接触区域的压强一般沿硅片半径方 向增加 。因此 ，在硅片沿半 径方向摩擦长度保持一致的条件下，若要实现均衡抛光，首要 的问题足均衡接触 区域 的压强分布 悬 瞽式