第二章双极集成电路中的元件形成及寄生效应课件.ppt

半导体 集成电路; 集成电路的基本概念 半导体集成电路的分类 半导体集成电路的几个重要概念 ;内容概述;Date;第2章 双极集成电路中的元件形成及其寄生效应;双极集成电路的基本制造工艺 双极集成电路中的元件结构 双极集成电路的基本工艺 理想本征双极晶体管的埃伯斯-莫尔模型 双极集成电路中的有源寄生效应;本节课内容;2.1双极晶体管的单管结构及工作原理;正常放大时外加偏置电压的要求;2.电子在基区中的扩散与复合（IBN）;发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 ;电流分配关系; ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。;正向工作区 发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集： ( 接近于1） 具有电流放大作用： ;当发射结正偏（VBE0)，集电结也正偏（VBC0)时(但注意，VCE仍大于0)，为饱和工作区。;当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约0.02）。;;二极管 （PN结）平面工艺 ;;;3 双极集成电路中元件的隔离;B;4 双极集成电路元件的形成过程、结构和寄生效应;双极集成电路等效电路;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;具体步骤如下： 1．生长二氧化硅（湿法氧化）：;2．隐埋层光刻：;As掺杂（离子注入）;P-Si;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程;双极集成电路元件断面图;;2.3 理想本征集成双极晶体管的EM模型;+; 两结三层三极管(双结晶体管);实际双极晶体管的结构; 两结三层三极管(双结晶体管);BJT的三种组态 ; 三结四层结构(多结晶体管); 三结四层结构(多结晶体管); 三结四层结构(多结晶体管);§2.4 集成双极晶体管的有源寄生效应;VBE;VEB_pnp=VBC_npn0;集成双极晶体管的有源寄生效应;集成双极晶体管的有源寄生效应;集成双极晶体管的有源寄生效应;VEB_pnp=VBC_npn0;集成双极晶体管的有源寄生效应;§2.4 集成双极晶体管的无源寄生效应;集成双极晶体管的无源寄生效应;rCS=rC1+ rC2+rC3;rCS=rC1+ rC2+rC3;rCS=rC1+ rC2+rC3;rCS=rC1+ rC2+rC3;rB=rB1+ rB2+rB3;C;3. 教材P24 2-5