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2017-06-01 发布于浙江
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纳米SiO2_PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究.pdf

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纳米SiO2_PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究

第 29 卷第 1 期北京交通大学学报 Vol .29 No .1 2005 年2 月 JOURNAL OF BEIJING JIAOTONG UNIVERSITY Feb .2005 文章编号 :1673-0291(2005)01-0044-04 纳米 SiO /PI 复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究 2 1 1 2 2 王正道 ,蒋少卿 ,李艳 ,付绍云 (1.北京交通大学土木建筑工程学院 ,北京 100044 ;2.中国科学院理化技术研究所 ,北京 100080) 摘要 :高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米 SiO 对其进行改性 ,利用溶胶凝胶技术,制备 2 了不同SiO 含量的纳米 SiO /PI 复合薄膜.利用自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装 2 2 置,对纳米 SiO /PI 复合薄膜室温至低温(77 K)的热膨胀系数进行了测量,给出了 SiO 含量、外加 2 2 载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系 . 关键词 :固体力学 ;聚酰亚胺 ;二氧化硅 ;低温 ;热膨胀系数 O39 ;TB131 文献标识码 :A 中图分类号 : Experimental Research on CTEs of SiO /PI 2 Nanocomposites at Low Temperature 1 1 2 2 WANG Zheng-dao , JIANG Shao-qing , LI Yan ,FU Shao-yun (1 .School of Civil Engineering and Architecture ,Beijing Jiaotong University ,Beijing 100044 ,China ; 2.Technical Institute of Physics and Chemistry ,Chinese Academy of Sciences ,Beijing 100080 China) Abstract :The high coefficient of thermal expansion of PI film is one of the serious disadvantages for its application in the cryogenic as a thermal or electrical insulator .In order to decrease its CTE ,nano_ SiO is used as an additive to synthesize different SiO_