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Ge4+、Sn4+掺杂尖晶石LiMn2O4的合成与电化学表征.pdfVIP

Ge4+、Sn4+掺杂尖晶石LiMn2O4的合成与电化学表征.pdf

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Ge4+、Sn4+掺杂尖晶石LiMn2O4的合成与电化学表征

物理化学学~E(WuliHuaxueXuebao) April ActaPhys.一Chim.S{n.2013,29(,763-769 763 [Article] doi:10.3866/PKU.WHXB201302211 www.whxb.pku.edu.cn Ge4.,Sn4掺杂尖晶石LiMn2O4的合成与电化学表征 熊礼龙 徐友龙 陶 韬 (西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室和国际电介质研究中心,西安710049) 摘要:使用Ge4~.Sn’作为掺杂离子,通过高温固相法制备四价阳离子掺杂改性的尖晶石LiMn0材料.X射线 衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Ge离子取代尖晶石中Mn离子形成了LiMn一GeO (x=0.02, 0.04,O.06)固溶体:而Sn离子则以SnO 的形式存在于尖晶石LiMnzO 的颗粒表面.Ge离子掺入到尖晶石 LiMnO材料中。抑制了锂离子在尖晶石中的有序化排列,提高了尖晶石LiMn0的结构稳定性:而在尖晶石颗 粒表面的Sn0:可以减少电解液中酸的含量,抑制酸对LiMnO活性材料的侵蚀.恒电流充放电测试表明,两种 离子改性后材料的容量保持率均有较大幅度的提升,有利于促进尖晶石型LiMnO锂离子电池正极材料的商业 化生产. 关键词: 尖晶石LiMn:O;锗掺杂:锡掺杂: 固相反应;循环性能 中图分类号:0646 SynthesisandElectrochemicalCharacterizationofGe针,Sn Doped SpinelLiMn204 XIONG Li—Long XUYou-Long TAO Tao (ElectronicMaterialsResearchLaboratory,KeyLaboratoryoftheMinistryofEducation&InternationalCenterforDielectric Research,XianJiaotongUniversity,Xian710049,PR.China) Abstract: SpinelLiMn2O4materialsdopedwithtetravalentcationsGe andSn weresynthesizedthrough solid-statereaction.AnalysisofthematerialsbyX.raydiffraction(XRD)andscanningelectronmicroscopy (SEM)suggestedthatGe ionsoccupiedoctahedralsitesbysubstitutingMn’ionsinthespinelstructureto formthesolidsolutionLiMn2一GeO4(x-0.O2,0.04,0.06),whileSn ionswerepresentatthesurfaceofthe spinelLiMn2O4asSnO2.ThesubstitutionofMn withGe”couldsuppressthelong-rangeorderingoftheLi ionsinthespinelLiMn2O4。enhancingitsstability.SnO2onthesurfaceofLiMn2O4couldreducetheacidityof the liquid electrolyte.suppressing acid etching ofthe LiMn2O4active materia1.Galvanostaticcharge/ discharge tests showedthatboth

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