空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.pdfVIP

物理化学学报 (WuliHuaxueXuebao) February ActaP ．-Chim．Sin．2011，27(2)，369-373 369 [Article] www．whxb．pku．edu．cn 空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响 戴宪起 ’。· 李艳慧’ 赵建华 ’ 唐亚楠’ (河南师范大学物理与信息工程学院，河南新乡453007； 河南省光伏材料重点实验室，河南新乡453007) 摘要： 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响．结果表 明：对完整的石墨烯结构，Si吸附在桥位最稳定，Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质；空位和B替位掺杂 均加强了Si在缺陷处的吸附，空位对Si在石墨烯上吸附的影响相对较大iB掺杂改变了Si的稳定吸附位置(由 桥位移到顶位)；Si在空位和B掺杂石墨烯上吸附，体系不具有磁性；B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能：单 空位缺陷不易形成，结构不稳定，B掺杂结构相对较稳定． 关键词：石墨烯：空位缺陷：B掺杂：吸附：Si；第一性原理 中图分类号：O641： 0472；0474 EffectsofVacancyandBoronDopingonSiAdsorptiononGraphene DAIXian．QiI LIYan—Hui’ ZHA0 Jian—Hua 1_ANGYa—Nan cCollegeofPhysicsandInformationEngineering,HenanNormalUniversity,Xinxiang453007,HenanProvince．PR．China 2HenanKeyLaboratoryofPhotovoltaicMaterials,Xinxiang453007,HenanProvince, R．China) Abstract： First—principlescalculationsbasedon densityfunctionaltheo~ were carriedOUtto studythe effectsofmonovacancyandboron dopingon Siadsorption ongraphene．W efoundthatSisingleatom， sitting above the bridge site ofdefect-free graphene，was the moststable configuration．The spin propertiesoftheC atomschangeafterSiadsorption．Inourcalculations．monovacancyand substituting with B atomsenhanced Siadsorptionongrapheneand monovacancywas moreeffectivethantheB dopant．Nomagneticmomentwasobse~edforlheSiadsorbedonthesetwosystems．B dopinginduces astableS；adsorptionpositionfrom thebridgesitetothetop siteand increasestheconductivityofthe graphene system．By comparison，B doping in the graphene system is relatively stable while the mOnOvacancysystem iSnot． KeyWords： Graphene； Vacancydefect； Borondoping； Adsorption； Si； Fjrst-principles 1 引 言