In_2O_3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性.pdfVIP

物理化学学~E(WuliHuaxueXuebao) M av ActaP ．一Chim．Sin．2013，29(5)，1021—1027 1021 [Article] doi：10．3866／PKU．WHXB20l303043 www．whxb．pku．edu．cn ln2O3敏化ZnO纳米棒阵列的性能及其光电催化活性 闫伟平 王德军 陈礼平 卢永春 谢腾峰 林艳红 (吉林大学化学学院，长春 130012) 摘要： 以掺氟SnO (FTO)导电玻璃为基底，采用水热法制备了ZnO纳米棒阵列．通过In(NO。)3水溶液水洗的 方法，合成了ln2O。敏化znO纳米棒阵列光催化剂．采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)，X射线能谱 (EDX)，X 射线衍射 (XRD)及紫外．可见漫反射光谱(UV-VisDRS)对样品的形貌、结构、组成、晶相等进行一系列的表征．以 罗丹明B(RhB)为 目标降解物，探究了InO。敏化 ZnO纳米棒阵列光 电催化活性．采用场诱导表面光伏技术 (FISPV)研究了不同含量的InO。敏化ZnO纳米棒阵列在光照射下的光生电荷行为．结合电化学工作站检测不 同样品的光电流，随着lnO。敏化量的改变，光电流和开路电压也随之改变．并探讨了 O。敏化ZnO纳米棒阵 列光生电荷行为与光电催化活性之间的关系．结果表明，适量InO。敏化的ZnO光催化剂在可见光下2h内对罗 丹明B的降解效率达到95％，是单纯ZnO纳米棒阵列的2．4倍． 关键词： InO。敏化ZnO；纳米棒阵列： 光电流密度一电位： 光电流：挡光一照光：表面光电压 可见光光 电催化活性 中图分类号：0643；0644 PropertiesandPhotoelectrOCataIyticActivityofIn203-Sensitized ZnO NanorodArray YANW ei—Ping WANG De—Jun CHEN Li--Ping LUYong--Chun XIETeng—Feng LINYan—Hong (CollegeofChemistry,JilinUniversity,Changchun130012， R．China) Abstract： ln2O3．sensitizedZnO nanorodarray f¨mswereprepared in atwo-step aqueousprocesson fluorine—dopedtinoxide (FTO)substrates．Field emissionscanningelectronmicroscopy (FESEM)， energy—dispersiveX-rayspectroscopy(EDX)，X-raydiffraction(XRD)，field-inducedsurfacephotovoltage (FISPV)，andUV-Visdifluseretiectancespectroscopy(UV-VisDRS)wereusedt0characterizef¨ms．The influence ofIn2O3contentonthetransfercharacteristicsofphotoinducedchargecarriersiSdiscussed basedonphotovoltageresponse．Thephotoelectrocatalyticdegradationefficiencyofln2O3-sensitizedZnO nanoroda