硫化镉量子点的合成及其光限幅效应.pdfVIP

物理化学学~(WuliHuaxueXuebao1 208 ActaP ．-Chim．Sin．2012，28(1)，208-212 doi：10．3866／PKU．W HXB201228208 www．whxb．pku．edu．cn 硫化镉量子点的合成及其光限幅效应 郑立思 冯 苗 詹红兵 (福州大学材料科学与工程学院，福州350108) 摘要：采用胶体化学法制备 了四种表面修饰有不同有机功能团的CdS量子点(QDs)，利用透射电子显微镜 (TEM)、紫外．~ (UV-Vis)nA收光谱、光致发光(PL)光谱、开孔Z扫描技术分别研究了四种CdS样品的线性光学 和非线性光学性能．结果表明：颗粒大小、表面形貌和缺陷浓度是影响CdSQDs非线性光学性能的主要因素． 关键词： 硫化镉：表面修饰：光限幅； Z扫描 中图分类号： 0644 SynthesisofCdSQuantum DotsandTheirOpticalLimitingEffect ZHENG Li—Si FENG Miao ZHANHong—Bing (CollegeofMaterialsScienceandEngineering,FuzhouUniversity,Fuzhou350108, R．China、 Abstract： FourkindsofCdSquantumdots(Qds)withfourdifferentsurface-cappingorganicgroupswere preparedbyacolloidalchemicalmethod．Thelinearandnonlinearopticalpropertiesofthematerialswere characterized usingtransmission electron microscopy (TEM)，ultraviolet-visible (UV-Vis)absorption spectroscopy，photoluminescence(PL)spectroscopy，andZ-scanmeasurements．Theresultsshowthat theparticlesize，thesurfacemorphology，andthedefectconcentrationarethemainfactorsthatdetermine thenonlinearopticalproperties． KeyW ords： CdS； Surfacemodification； Opticallimiting； Z-scanmeasurement 1 引 言 小f1—10rim)，但相应的非线性效应却并不显著，目 在过去的几年里，半导体材料 由于具有 良好的 前对半导体 QDs在光限幅领域应用的研究较少．” 被动光限幅性能，受到人们的广泛关注．对于宏观 尽管如此，溶液的 自我修复功能和较大 的光损伤阈 块体材料而言，更多的研究兴趣在于其单光子诱导 值，依然为我们研究溶液中半导体QDs的NLO性能 自由载流子吸收引起的非线性光学(NLO)性能．近 提供便利的条件． 年来，半导体量子点(QDs)的合成、 表征和应用受 本文通过胶体化学法制备了四种CdSQDs，其 到越来越多的关注．。半导体QDs的物理性能主要 表面分别修饰有不同的有机基 团，如图1所示．利用 由激子空间禁 闭引起．与宏观块体材料相 比，QDs 透射 电镜(TEM)、紫外一可见(uv-vis)吸收光谱、荧光 的量子尺寸效应导致线