钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP／GaAs HBT性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 25卷第 3期 半 导 体 学 报 VO1．25。NO．3 2004年 3月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS M ar．，2004 钝化边的制作及其对不同尺寸 自对准 InGaP／GaAsHBT性能的影响* 郑丽萍 刘新宇 袁志鹏 孙海锋 和致经 吴德馨 (中国科学院微 电子中心，北京 100029) 摘要：采用全耗尽的InGaP材料在基 区GaAs表面形成钝化边 (passivationledge)的方法 ，研制出了带钝化边的 自 对准 InGaP／GaAs异质结双极晶体管 (HBT)．通过对不 同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得 出：钝化边对提高小 尺寸器件的直流增益有明显效果 ，对器件 的高频特性无明显影响．此外 ，钝化边 的形成改善了所有实验器件 的长期 可靠性． 关键词 ：钝化边 ；直流增益；异质结双极晶体管 EEACC：256oJ 中图分类号：TN325 ．3 文献标识码 ：A 文章编号 ：0253—4177(2004)03—0312-04 硫化物薄膜稳定性不好 ，器件在钝化一段时间以后 1 引言 性能又会变差 ；钝化边法是利用一层致密的Si。N ， 使原本裸露的GaAs被全耗尽的发射极材料覆盖以 近年来 ，GaAs器件的应用越来越广泛，InGaP／ 减小基区表面复合，从而达到钝化的效果．钝化边法 GaAsHBT 已经取代 A1GaAs／GaAsHBT成 为主 对发射极的厚度有一定要求 ，首先它必须大于电子 流产品_l1]．在研究 A1GaAs／GaAsHBT时人们发 的平均 自由程，其次它应使发射极处于全耗尽态．理 现 ，由于 A1GaAs／GaAsHBT基区材料 GaAs的表 论计算和实验表 明，发射极材料厚度为 50nm 可 以 面复合速率达到 10cm／s，使基区表面复合 电流增 满足要求．人们对钝化的非 自对准器件已经作了较 大，影响 了器件的性 能_l4；而且 GaAs氧化物 中的 详尽的研究 ]，而对 自对准器件，由于湿法腐蚀存 AsO。极不稳定，因此表面钝化始终是 GaAs器件 在较大的侧向腐蚀，因此钝化边对其性能也有影响． 制作工艺中的重点和难点．实际上 ，GaAsHBT器 本文采用钝化边法制作 了 自对准的 InGaP／GaAs 件性能变差的主要原因是器件基区有一部分是裸露 HBT器件，比较了有无钝化边器件的直流特性和高 的高表面复合速率 的GaAs，引起较大的基区表面 频性能，并研究 了钝化边对不同尺寸器件性能的影 复合，如果能用一种低表面复合材料覆盖在裸露的 响． GaAs上 ，就可以起到钝化的效果．由此人们提出氢 钝化或氮钝化_l5]、硫化_7和钝化边 等方法．氢钝 2 器件制作工艺 化的缺点是 H易与 GaAs反应 ，不能形成 良好 的介 质膜来保护表面；氮钝化主要是在 GaAs表面形成 本 文 所 用 的 InGaP／GaAsHBT 材 料 是 用 高带隙的GaN，从而达到钝化的 目的；硫化法是用 MOCVD技术生长的，由台湾 Southepi公司提供． NaS、(NH )S PS、AsS。等在GaAs表面形成硫 其外延层结构如表 1所示． 化物薄膜而达到钝化效果，但该方法钝化后形成的 *国家 自然科学基金资助项 目(批准号 郑丽萍 女，1975年出生 ，博士研究生 ，主要从事HBT器件和电路的研究 2003—03—21收到，2003—07—02定稿