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第23卷 第4 期 V ol . 23, N o. 4
200 3 年11 月 RESEA RCH P ROGRESS OF SSE No v. , 200 3
X
马群刚 李跃进 杨银堂
( , , 71007 1)
200 1-12-29 , 2002-06-17
: ,
,
: ; ; ; ; ; ;
: T N 47 T N 405. 97 : A : 1000 -3819 ( 200 3) 04 -4 64-06
Challenges and Solutions of Scaling Down Technology
in Micron and Nanometer
M A Qung ang L I Y uej n Y A N G Y nt ang
( M icroelectronics Inst. of X idian Univ. , X i an, 710071, CH N )
Abstract: T he scal ng dow n t echnol ogy of t rans st ors has been t he pr mary f act or dr v ng
mprovement of IC. T h s paper h ghl ght s t he m a n challenges of IC technolog y scal ng n deep
- , , , -
sub m cro n and nanomet er w h ch com e f rom l t ho graphy tr ans st or scal ng sub t hreshold
leakage, nt erco nnect scal ng, po w er d ss pat on , plat fo rm nt egrat on et c. T hen so me solu -
t o ns t o these chal lenges are proposed t echn que, dev ce, c rcu t , des g n , and so on .
: ; ; ; ; -
Key words micron and nanometer scaling down lithography interconnect delay sub
; ;
threshold leakage power dissipation platform intergration
EEACC: 2550
M OS 70 10 Lm
1 引 言 0 . 1 Lm, 0. 1 Lm
, M OS IC
( IC) , ,
A
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