单晶MgO纳米带的生长特性和发光性能.pdfVIP

第 29卷第 6期 无 机 化 学 学 报 Vo1．29No．6 2013年 6月 CHINESEJ0URNALOFIN0RGANICCHEMISTRY 1199一l205 单晶MgO纳米带的生长特性和发光Ila土l-Z月~la匕 李明吉 ，1王秀锋 1李红姬 ，2 吴小国1 曲长庆 杨保和 1 (天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件天津市重点实验室，天津 300384) (天津理工大学化学化工学院，天津 300384) 摘要 ：本文采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法fDCArcPlasITIaJetCVD1．在氢气和氩气 的高温等离子体作用下直接分 解硝酸镁 ，在 Mo衬底上制备 了单晶MgO纳米带 ，并采用 SEM、TEM及 XRD等测试手段进行 了形貌与结构表征 ．研究 了生长时 间对 MgO纳米带形貌的影响。结果表明，生长时间为0．5nIin时，生长出顶部带有M0纳米颗粒的 “蝌蚪状”MgO纳米带．而整个 纳米结构被较多的非晶MgO覆盖 ；当生长时间增加到 2min时，顶部的Mo纳米颗粒几乎脱落 ，同时长 出若干个纳米带，形成 “树枝状”；生长时间进一步增加到 5rain时，形成完整的 “带状”．其宽度约 3050nin：而生长时间达到 12min时，纳米带又转变 为 “棒状”。机理分析表明，Mo催化 VLS生长模式和 VS生长模式共 同作用下生长 了MgO纳米带 。另外 ．通过 IR谱结合 PL谱 分析 了缺陷及其引起的光致发光性能。由于MgO纳米带存在低配位氧离子f0．z_1空位等结构缺陷．具有紫蓝发光特性 ，而随着 生长时间的增加 ，结构缺陷变少 ．随之紫蓝发射峰强度变弱。本文首次采用该方法制备了单 晶MgO纳米带．该方法工艺简单 ，生 长速率快 ．是非常经济、有效和环境友好 的方法 关键词 ：直流 电弧等离子体喷射 CVD；MgO；纳米带 ；光致发光 中图分类号：0614．22 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2013)06—1199—07 DOI：10．3969／j．issn．1001—4861．2013．O0．190 GrowthCharacteristicsofSingle-CrystallineM gO NanobeltsandIts PhotoluminescenceProperties LIMing—Ji， WANGXiu—Feng LIHong—Ji’ WUXiao—Guo QUChang—Qing YANGBao-He (TianjinKeyLaboratoryofFilmElectronicandCommunicateDevices，CollegeofElectronicsInformationEngineering, TianjinUniversityofTechnology,Tianjin300384，China) (2CollegeofChemistryandChemicalEngineering,TianjinUniversityofTechnology,Tianjin300384，China) Abstract：Single—crystalMgOnanobeltsweresynthesizedbydirectcurrent (DC)arcplasmajetchemicalvapor deposition (CVD)onMosubstrates．AnattempthasbeenmadetoprepareMgOnanobehsthroughdecompositionof magnesium nitrateunderargonandhydrogenflow at950 ℃ fordifferentdurations．TheMgO nanobeltswere characterizedbyscanningelectronmicroscopy (SEM)，highresolutiontra